6月13日，东芝宣布推出新的 600V 耐压 N 沟道功率 MOSFET"DTMOSVI 系列"，采用最新一代工艺，具有超级结结构，适用于数据中心、开关电源和光伏电源调节器。新品"TK055U60Z1"是DTMOSVI系列中首款600V耐压产品。即日起开始发货。
通过优化栅极设计和工艺，耐压600V的DTMOSVI系列与现有一代同耐压DTMOSIV-H系列相比，单位面积漏源导通电阻约为13%。品质因数"漏源导通电阻 x 栅漏电荷"降低了约 52%。因此，DTMOSVI 系列实现了低导通损耗和低开关损耗，有助于提高开关电源的效率。
对于封装，东芝采用了允许栅极驱动信号源端子开尔文连接的 TOLL。这使得可以降低封装内源极线的电感对开关的影响，从而发挥 MOSFET 的高速开关性能并抑制开关期间的振荡。与之前发布的 650V DTMOSVI 系列一起，东芝将继续扩充 600V 耐压 DTMOSVI 系列的阵容，这减少了开关电源的功率损耗并有助于节能。
应用终端 SIC IGBT模块 SIC模块 碳化硅衬底 IGBT芯片 分立器件 材料 焊接材料 真空回流焊炉 烧结银 烧银炉 烧结炉 陶瓷基板 铜底板 焊接设备 划片机 晶圆贴片机 灌胶机 贴片 表面处理 硅凝胶 环氧树脂 散热器 铝碳化硅 五金 键合机 键合丝 超声焊接机 陶瓷劈刀 激光设备 设备配件 PVD设备 ALD 电子浆料 CVD 导热材料 元器件 密封胶 X-Ray 配件 超声波扫描显微镜 塑胶外壳 玻璃 塑料 线路板 设备 散热材料 热敏电阻 点胶机 胶水 自动化设备 运动控制 封装设备 检测设备 认证检测 夹治具 清洗设备 测试设备 磨抛耗材 磨抛设备 代理 贸易 其他
Chinese 
English