氮化镓的十大关键要点

 » 氮化镓 (GaN) 是一种高性能化合物半导体。GaN 是一种 III-V 直接带隙化合物半导体，就像砷化镓 (GaAs) 一样。化合物半导体可在许多微波射频 (RF) 应用领域中提供速度和功率的出色组合解决方案。

» GaN 可为射频应用带来独特的优势。GaN 独特的材料属性可为射频系统提供高功率附加效率 (PAE)、高功率输出、小巧外形、宽带宽、热优势和坚固耐用等优势。 

» 许多商业、国防和航空系统都使用 GaN。GaN 独特的优势支持许多新的和现有的应用，包括雷达、卫星通信、商业无线网络和有线电视。 

» GaN 对 5G 至关重要。为满足 5G 对数千兆网速和超低延迟性能的要求，设备制造商开始在大规模多路输入 / 多路输出 (MIMO) 系统中部署高功率 GaN。 

» GaN 可用于整个射频前端。GaN 最初用于制造功率放大器 (PA)，但现在用于低噪声放大器 (LNA)、高功率开关和混频器。

» 多种 GaN 工艺和封装选项支持不同的应用。GaN 半导体制造商已经开发了多种工艺和封装选项，使系统设计人员能够更轻松地找到适合其特定应用的分立元件、单芯片微波集成电路 (MMIC) 或模块。

» GaN 极其可靠，即使在恶劣的环境下亦是如此。GaN 在 200℃温度条件下，平均无故障时间 (MTTF) 超过 1000 万小时 ；在 225℃ 温度条件下，MTTF 超过 100 万小时，比其他半导体技术更加可靠。

» GaN 可用于大批量生产应用。美国国防部 (DOD) 将 GaN 归类为最高级别制造成熟度 (MRL)（即 MRL 10）的工艺，这意味着全速生产和精益生产实践已经就绪。

» GaN 正在开拓新市场。由于其独特的性能，GaN 开始扩展到许多新的领域，包括汽车、医疗系统和先进的科学应用。

» GaN 技术将继续发展。未来 GaN 技术和封装方面的创新将支持更高的频率、更高的电压，甚至更宽的带宽，从而进一步推动 GaN 的普及。