IGBT和MOS你选对了吗

MOSFET和IGBT均为集成在单片硅上的固态半导体器件，且都属于电压控制器件。另外，IGBT和MOSFET在栅极和其他端子之间都有绝缘，两种器件全部具有较高的输入阻抗。在应用中，IGBT和MOSFET都可以用作静态电子开关。

在结构上，MOSFET和IGBT看起来非常相似，实则不同。IGBT由发射极、集电极和栅极端子组成，而MOSFET由源极、漏极和栅极端子组成。IGBT的结构中有PN结，MOSFET没有任何PN结。

IGBT与MOSFET有9大异同点：

在低电流区，MOSFET的导通电压低于IGBT，这也是它的优势。不过，在大电流区IGBT的正向电压特性优于MOSFET。此外，由于MOSFET的正向特性对温度具有很强的正向依赖性，因此，IGBT的高温特性更好，导通电压比MOSFET低。

IGBT适用于中到极高电流的传导和控制，而MOSFET适用于低到中等电流的传导和控制。

IGBT不适合高频应用，它能在千Hz频率下运行良好。MOSFET特别适合非常高频的应用，它可以在兆Hz频率下运行良好。

IGBT的开关速度比较低，MOSFET开关速度非常高。

IGBT可以承受非常高的电压以及大功率，MOSFET仅适用于低至中压应用。

IGBT具有较大的关断时间，MOSFET的关断时间较小。

IGBT可以处理任何瞬态电压和电流，但当发生瞬态电压时，MOSFET的运行会受到干扰。

MOSFET器件成本低，价格便宜，而IGBT至今仍属于较高成本器件。IGBT适合高功率交流应用，MOSFET适合低功率直流应用。

上述这些差别，在应用上MOSFET和IGBT各有侧重点。通常，MOSFET的额定电压约为600V，而IGBT的额定电压能够达到1400V。从额定电压角度看，IGBT主要用于更高电压的应用。从工作频率角度看，IGBT通常在低于20kHz的开关频率下使用，此时它们比单极性MOSFET具有更高的开关损耗。

对于低频 (小于20kHz) 、高压 (大于1000V) 、小或窄负载或线路变化、高工作温度，以及超过5kw的额定输出功率应用，IGBT是首选。而MOSFET更适合低电压 (小于250V) 、大占空比和高频 (大于200KHz) 的应用。

MOSFET特别适合高频开关应用

作为电源开关，选择的MOSFET应该具有极低的导通电阻、低输入电容 (即Miller电容) 以及极高的栅极击穿电压，这个数值甚至高到足以处理电感产生的任何峰值电压。另外，漏极和源极之间的寄生电感也是越低越好，因为低寄生电感可将开关过程中的电压峰值降至最低。

MOSFET的优点决定了它非常适合高频且开关速度要求高的应用。在开关电源 (SMPS) 中，MOSFET的寄生参数至关重要，它决定了转换时间、导通电阻、振铃 (开关时超调) 和背栅击穿等性能，这些都与SMPS的效率密切相关。

对于门驱动器或者逆变器应用，通常需要选择低输入电容 (利于快速切换) 以及较高驱动能力的MOSFET。

IGBT适合高压大电流应用

与MOSFET相比，IGBT开关速度较慢，关断时间较长，不适合高频应用。

IGBT的主要优势是能够处理和传导中至超高电压和大电流，拥有非常高的栅极绝缘特性，且在电流传导过程中产生非常低的正向压降，哪怕浪涌电压出现时，IGBT的运行也不会受到干扰。

在实际应用中，逆变技术对IGBT的参数要求并不是一成不变的，对IGBT的要求各不相同。

综合来看，下面这些参数在IGBT的选择中是至关重要的。

一是额定电压，在开关工作的条件下，IGBT的额定电压通常要高于直流母线电压的两倍。

二是额定电流，由于负载电气启动或加速时，电流过载，要求在1分钟的时间内IGBT能够承受1.5倍的过流。

三是开关速度。

四是栅极电压，IGBT的工作状态与正向栅极电压有很大关系，电压越高，开关损耗越小，正向压降也更小。

小  结

IGBT和MOSFET是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件。MOSFET工作频率达到了兆Hz级，IGBT在大功率化和高频化之间找到了市场突破点。

在不间断电源 (UPS) 、工业逆变器、功率控制、电机驱动、脉宽调制 (PWM) 、开关电源 (SMPS) 等开关应用中，MOSFET和IGBT因其具有的优越特性，在性能上明显优于其他开关器件。其中，MOSFET主要用于较低的电压和功率系统，而IGBT更适合较高的电压和功率应用。

IGBT是新能源汽车高压系统的核心器件，其最核心应用为主驱逆变，此外还包括车载充电器 (OBC) 、电池管理系统、车载空调控制系统、转向等高压辅助系统等。在直流和交流充电桩中，IGBT也有着广泛应用。在新能源汽车中，MOSFET主要在汽车低压电器中使用，比如电动座椅调节、电池电路保护、雨刷器的直流电机、LED照明系统等。

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