森国科KG050Z12P1M1、KG075Z12P1M1 ，采用精细沟槽栅场截止型IGBT芯片结构，结构如下图示，在12寸硅晶圆生产制造。在实际场景应用中，它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。
森国科IGBT元胞结构图
森国科IGBT采用软穿通FS层的设计，可有效提升开关速度，降低开关损耗；
森国科采用精细沟槽栅元胞结构提升电流密度使的IGBT具有低导通压降，更小的导通损耗；
森国科优化了终端结构设计和材料匹配，提升了器件的长期可靠性；
森国科优化了芯片设计，使器件具备优秀的短路能力。
森国科IGBT新品采用行业标准化的封装形式，便于器件在不间断电源、储能、光伏逆变器等多个领域的应用。具体应用电路可参考：
关于森国科
深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构，囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。
原文始发于微信公众号（森国科）：重磅新品发布！森国科推出大功率IGBT分立器件
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