【产品速报】深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择，碳化硅功率器件的使用对于能源领域朝着轻量化、节能低碳化的转型升级也具有重要的意义。
碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表性材料之一，与传统Si基材料相比，其电子饱和漂移速率是硅的2倍，更加适合在高频电路中使用；热导率相当于Si的3倍，因而散热效果更佳，可靠性更高；SiC材料的临界击穿场强能力高达硅的10倍之多，可使器件更加耐高压；禁带宽度上来说，SiC材料是Si材料的3倍，使其具备了低漏电的优异性能。
此外，经过多轮测试与验证，森国科1200V碳化硅二级管拥有强大的抗浪涌冲击能力、抗雪崩能力，强健性和鲁棒性。较高的热性能降低了对冷却系统的需求，同时由于反向恢复时间短，可降低电磁干扰的问题。在"风、光、储、充、荷"等领域常用的电路可参考：
交错并联PFC: D5, D6：可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。
维也纳（VIENNA）PFC：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。
IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。
森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自新能源汽车、充电桩、光伏逆变器、OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。
有关KS10120、KS15120、KS20120、KS30120、KS40120、KS50120系列的详细性能指标请登录公司网站（www.gokeic.com）或点击文末"阅读原文"，下载对应的产品规格书。
1、高电子饱和漂移速率：电子饱和漂移速率是指在强电场下，电子在晶格中移动时达到的最大速度，它反映了材料的载流子迁移率。高电子饱和漂移速率意味着更快的开关速度和更高的工作频率，从而提高了半导体的效率和带宽。
关于森国科
深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构，囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。
森国科碳化硅产品线为650V和1200V 碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、SiC二极管模块、SiC MOSFET 模块，该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6寸车规级晶圆，具有高耐温，高频，高效，高压特性，已稳步进入国内汽车三电、主流大功率电源、光风储逆变器、充电桩电源模块等上市公司供应链。
森国科功率IC采用先进的高压特色工艺，包括功率管及模块的驱动、BLDC及FOC电机的驱动。经过5年的发展，该产品线的团队在BCD工艺，UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累。功率器件驱动芯片，已经大规模量产中低压系列，即将推出高压系列。在电机驱动芯片方面，已经推出单相BLDC散热风扇电机系列，即将推出三相BLDC电机驱动系列。
森国科在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下，以低成本创新为己任，努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力，成为全球领先的功率半导体公司！
原文始发于微信公众号（森国科）：森国科推出广泛用于光、风、储、充、荷的1200V碳化硅二极管系列产品
Chinese 
English