意法半导体量产氮化镓器件PowerGaN：产能充足，即将推出车规器件

如今，开发电子电力器件的难度不断飙升，如何在满足绿色低碳和和持续发展的要求下既不断提升效率和功率性能，同时又不断降低成本和缩减尺寸呢？

我们发现，氮化镓(GaN)是一种新型宽带隙化合物，为功率转换解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。 

与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管有什么优点呢？GaN在品质因数(FoM)、导通电阻 (RDS(on))和总栅电荷(QG)方面的表现更出色，提供高漏源电压能力、零反向恢复电荷（在共源共栅器件中可以忽略）和极低的本征电容。先进的GaN技术解决方案可以提高功率转换效率，在满足极其严格的能源要求的同时实现更高的功率密度，它的工作频率更高，器件外观更为紧凑。

意法半导体最近宣布，已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管是基于氮化镓(GaN)的高效晶体管，提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。

该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的总栅极电荷和低寄生电容确保晶体管具有最小的导通/关断能量损耗。开尔文源极引脚可以优化栅极驱动。除了减小电源和适配器的尺寸和重量外，两款新GaN晶体管还能实现更高的能效、更低的工作温度和更长的使用寿命。

意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。GaN晶体管的击穿电压和导通电阻RDS(on)与硅基晶体管相同，而总栅极电荷和寄生电容更低，且无反向恢复电荷。这些特性提高了晶体管的能效和开关性能，可以用更小的无源器件实现更高的开关频率，提高功率密度。因此应用设备可以变得更小，性能更高。未来，GaN还有望实现新的功率转换拓扑结构，进一步提高能效，并降低功耗。

意法半导体PowerGaN分立器件的产能充足，能够支持客户快速量产需求。SGT120R65AL和SGT65R65AL现已上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封装。

在接下来的几个月里，意法半导体还将推出新款PowerGaN产品，即车规器件，以及更多的功率封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。让我们拭目以待！