据报道，8月10日，芯科半导体举行了SiC MOSFET芯片基地开工仪式。
据悉，该项目一期用地面积约30亩，总投资4亿元，将建设碳化硅功率芯片产业化基地，计划年产1000万颗功率芯片，6吋SiC外延片1万片。
资料显示，芯科半导体成立于2021年9月，是一家专业从事SiC外延片、功率芯片及器件类产品研发、设计、销售的IDM公司。去年6月，芯科半导体宣布其碳化硅MOSFET功率芯片已通过工信部电子测试认证，并完成了外延片生产制造和功率芯片样品生产，即将进行量产销售。
来源：汽车电子应用网
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