英诺赛科氮化镓出货量突破3亿颗！

• 2017年11月

• 2018年5月

• 2019年6月

英诺赛科650V 高压氮化镓器件通过JEDEC。自此，英诺赛科成为全球唯一一家同时量产高压和低压氮化镓的半导体公司。

• 2021年3月

英诺赛科双向导通芯片 V-GaN 正式量产，是全球唯一一款可应用于高压侧负载开关，智能手机 USB /无线充电端口内置 OVP 保护，多电源系统中的开关电路等场景的GaN芯片。

• 2022年11月

英诺赛科 INN100W032A 荣获IIC全球电子成就奖，该产品栅极电荷仅为 Si MOS 的20%，Ciss仅为 Si MOS 的 40%，可广泛应用于电机驱动、Class D、数据中心、motor driver、通信基站等产品领域。

• 2023年1月

英诺赛科推出100V高集成半桥驱动合封芯片SolidGaN- ISG3201，进一步提升数据中心模块电源、电机驱动、D类功率放大器、光伏逆变器及轻混电动汽车等48V电源系统的整体性能。

截至2023年8月，英诺赛科成功量产高压氮化镓芯片（650V-700V）54 款，中低压氮化镓芯片（30V-150V）20 款，产品涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类。

• 2019年

英诺赛科650V 器件正式进入快充市场。随后得到华硕、安克、努比亚、倍思、绿联、闪极等多个终端品牌采用，应用于30W-120W氮化镓快充产品。

• 2020年

英诺赛科100V 低压GaN 成功导入禾赛激光雷达并实现量产，驱动激光器实现更短时间内的图像传输。

• 2021年3月

腾讯×努比亚红魔手机6Pro发布，其标配的业界首款120W黑魔方氮化镓快充内置英诺赛科650V芯片。随着Oppo、Vivo、联想等厂商的相继采用，手机标配氮化镓快充成为行业趋势。

• 2021年10月

英诺赛科自主研发的双向导通产品 VGaN 率先导入 OPPO 手机，成为全球首款导入智能手机内部电源开关领域的氮化镓芯片。Realme、一加、联想、摩托罗拉等手机也相继采用VGaN实现充电保护，氮化镓在消费类电子开拓了新应用空间。

• 2022年5月

首诺信的发布全球最小的45W/65W PD 车充，采用英诺赛科40V低压产品INN040FQ043A。

• 2022年7月

安克联合英诺赛科共同发布全球首款65W全氮化镓快充，独创的全氮化镓技术首次在AC和DC端同时采用氮化镓功率芯片，使系统功率密度和效率达到了全新高度。

• 2022年10月

英诺赛科氮化镓首次在工业电源产品上实现大规模量产，全面提升能源转换效率，降低系统能耗。

• 2023年4月

英诺赛科低压产品从工业级应用进军到车规级应用，成功进入汽车激光雷达市场。

• 2023年7月

英诺赛科开始将氮化镓应用于新能源光伏发电领域，进一步缩小了模块体积，提高系统效率，与合作伙伴共同打造轻便、高效的光伏产品。

 

氮化镓功率器件的应用主要由消费电子所驱动，因其具备小体积、高频高效的优势，能够满足消费电子市场对电源产品小型化、快速化及低发热的强烈需求。在快充市场的带动下，手机标配快充、手机内部充电保护也逐一采用氮化镓，并在市场上得到良好反馈。由此，消费领域对氮化镓的需求全面铺开。而这也仅仅是氮化镓走向市场的开端。

受日益严峻的能源危机和绿色低碳发展趋势的影响，各国纷纷出台减碳政策，工业市场（新能源、数据中心）对高效、节能产品的需求大增，氮化镓无疑是工业领域降本增效的关键。

而随着汽车电气化的持续推进，汽车电子成为各半导体厂商纷纷布局的市场。英诺赛科在2021年通过IATF 16949车规级认证，采用英诺赛科氮化镓的激光雷达产品已率先应用于自动驾驶汽车。据行业预测，2025年氮化镓将渗透到低功率OBC和 DC-DC，2023年或将进入牵引逆变器中。