长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目落户光谷
8月25日，东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。
长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等 ，将助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。
长飞先进半导体生产现场
安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。
九峰山科技园空间布局图
当前，东湖高新区重点布局化合物半导体产业，将九峰山科技园作为武汉新城重点建设的科技项目。九峰山科技园构建“一核三区，双轴交汇”的空间格局，“一核”即九峰山实验室科技创新核，系统布局实验室、研究院、孵化器等创新业态，“三区”为创新策源区、产业发展区、人才集聚区“三区”。九峰山科技园将构建设备、材料、设计、芯片、器件、模块、制造、封装、检测的全产业链体系，推动创新链、人才链、资金链和产业链深度融合发展，形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态，聚力打造世界级化合物半导体产业高地。
经过30余年“追光逐芯”，东湖高新区已成为全球最大光纤光缆研发制造基地、中小尺寸显示面板产业基地和国内最大光器件研发生产基地、激光产业基地。作为全国四大集成电路产业基地之一，目前，光谷已聚集一批集成电路产业龙头企业，形成了存储芯片、化合物半导体芯片为两大产业方向，涵盖设计、制造、装备、材料及分销、模组等产业链关键环节的产业集群。
原文始发于微信公众号（中国光谷）：总投资超200亿！长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷
