上海澜芯半导体是一家从事功率半导体开发的芯片设计企业，公司从2023年年初正式开始运营。经过8个月的艰苦和紧迫的研发（设计，流片，封装，可靠性验证），近期澜芯半导体的首款SiC MOSFET产品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通过了1000小时175℃ 100%Vds HTRB和1000小时175℃ HTGB可靠性考核。
本次可靠性认证，澜芯半导体参考车规AEC-Q101的可靠性考核条件进行考核，参考依据AEC-Q101-Rev-E-B1-2021/AEC-Q101-Rev-E-B2-2021。同时，该规格的其他车规AEC-Q101认证还在进行中。
本次考核的通过，成功验证了澜芯半导体的1200V产品设计和工艺平台的可靠性。澜芯SiC MOSFET产品全部采用车规级产品设计，性能以及一致性优良，同时在出货端安排全套可靠性筛选，保证产品性能和可靠性，降低客户端风险。
新品预告：
澜芯半导体团队从事SiC产品研发多年，积累了丰富的产品开发经验，除了1200V 80mΩ SiC MOSFET产品之外，采用同样产品设计和工艺平台的1200V 40mΩ SiC MOSFT产品预计在今年10月份可以提供样品；1200V 30mΩ和60mΩ有望在2023年年底提供样品。澜芯半导体第二代工艺平台上的重磅产品1200V 13mΩ晶圆预计在今年11月出样品。
关于澜芯半导体：
上海澜芯半导体有限公司成立于2022年6月，是一家功率芯片设计公司，具体产品包括碳化硅功率器件，硅基IGBT，MOSFET相关的单管和功率模块产品，上海澜芯半导体拥有成熟的研发团队，具有丰富的功率芯片开发经验和深厚的车规级功率半导体行业背景。
原文始发于微信公众号（澜芯半导体）：澜芯半导体1200V首款SiC MOSFET通过可靠性认证