2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
1. 更低的开关损耗
凌锐产品的开关损耗大幅降低，功率模块发热量减少，将降低对功率模块散热器和整个变流器冷却系统的要求，从而带来体积和重量的减少。同时，可以在更高频率下切换，将降低电路中变压器、电容、电抗器等无源元件的体积和重量，从而优化整体的拓扑结构和重量管理。
2. 更好的栅氧质量
卓越的可靠性和质量，是SiC MOS大规模应用的前提条件之一。
凌锐产品的栅氧耐压为业界优秀水平，有较大的栅氧工作电压范围，且有较小的VSD，体二极管续流时有显著小的续流损耗，从而保护栅氧免遭应力而导致的失效或退化。
3. 兼容15V和18V 驱动
在产品设计初期，公司进行过系统的对比分析，深入分析了各类参数对器件的影响，并结合多年的研发积累，从多个版本中选出综合性能最优版本。
并且，考虑到各种应用场景的特殊性和兼容性，公司对产品设计进行了多次迭代优化，从而能够同时兼容15V和18V栅极驱动电压。在15V 的驱动下，凌锐产品能够与友商相互兼容；而在18V 的驱动下，客户则能充分发挥凌锐产品的性能优势。
总结，凌锐半导体的新一代产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V 驱动，能够满足高可靠、高性能的应用需求。并且，公司正积极布局研发下一代更高性能的产品。
凌锐1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS已达量产阶段，并在Q4实现客户端批量交货。
原文始发于微信公众号（凌锐半导体）：凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS