近日，湖南德智新材料有限公司完成数亿元人民币的战略融资。本轮融资由国风投（北京）智造基金、博华资本（无锡基金）、元禾重元、恒信华业联合领投，中信证券投资、中车资本、山证投资、交银国际、国舜投资等参与投资，势乘资本担任独家财务顾问。此次融资主要用于德智新材株洲、无锡两地产能扩建与研发投入，通过强有力的产业支持及资本背书，助力国产替代。
SiC涂层石墨部件具有优异的抗热震、抗氧化、抗气流冲刷、低气体渗透性、耐酸碱性能，与石墨材料具有良好的化学及机械相容性，在高于1200℃时仍然能够稳定存在。因此，在半导体材料的外延过程中，SiC涂层可保护石墨基座盘基体材料，提高性能，净化外延生长环境，延长石墨部件的使用寿命，在半导体芯片制程中，硅片制造、外延生长、刻蚀、离子注入及氧化扩散等工序中大量使用到石墨与SiC部件。
SiC涂层石墨产品及实体SiC刻蚀环产品是芯片制造领域的关键耗材，SiC制品的国产化解决半导体设备上游零部件供应链安全问题，满足国家高端装备制造业转型升级需要，具有重大战略意义。
德智新材拥有自主研发的生产设备，具备石墨纯化、精密加工、精密检测、CVD涂层等完整的生产制造链，在SiC涂层石墨工件设计、加工及CVD工艺等方面具有核心专利技术和竞争优势。在CVD工艺上，德智新材自主研发沉积设备，并具备从学术到量产的多年工艺积累，拥有对产品应用场景的深刻理解、及灵活定制的材料设计制造能力。目前，德智新材已开发LED外延设备用组件、三代半外延设备用组件、硅基外延设备用组件、SiC刻蚀环、SiC晶舟等一系列半导体用SiC部件制品。德智的产品性能、评价指标全国领先，媲美国外领先厂商水平。其中，德智新材在12寸大硅片外延用SiC涂层石墨盘、实体SiC刻蚀环产品实现技术突破，成为国内极少具备量产能力的领先企业。
德智新材将持续投入并优化研发及产品布局，不断提高产品及服务的核心竞争力，致力于成长为以CVD技术为核心的平台级材料公司，为进一步推动国内半导体产业转型升级贡献力量。
原文始发于微信公众号（湖南德智新材料有限公司）：碳化硅部件助力国产替代 德智新材完成数亿元战略融资
