11月7日,据投资者关系活动:
Q: 今年前三季度新产品的布局及进展情况?
纳芯微:功率器件方面,公司已经发布SiC二极管和MOSFET 产品,并逐步进行客户送样和验证工作,公司布局功率器件的思路还是围绕着目标市场和应用,补全在客户端的产品布局,目标是为客户提供完整的芯片级解决方案。
纳芯微表示,今年新能源汽车渗透率仍在稳步提升,行业由缺芯到不缺芯。汽车电动化和智能化持续发展,汽车芯片的需求不断增加。在PCIM Asia展上,纳芯微展示了汽车电子核心应用领域等SiC系列产品。
纳芯微拥有丰富的车规级芯片产品定义、开发和量产经验,并在大量主流整车厂/汽车一级供应商实现批量装车。与此同时,纳芯微不断拓展其汽车应用的产品组合,如应用于汽车主驱电机电流检测的磁电流传感器,同时也在积极开发和验证车规级1200V SiC MOSFET产品。根据公司2023半年度报告,纳芯微汽车电子领域收入占营收26.28%,较去年年度占比提升约3个百分点。
图源:纳芯微电子公众号
2023年7月10 日,纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管。
该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性,完美满足中高压系统的需求。
SiC二极管相较于传统硅基二极管具备明显优势
1.几乎零反向恢复电流
SiC二极管具备优异的反向恢复特性,可与高频开关器件配合使用,提高开关频率,从而减小系统整体的体积和成本。
相较于1200V的硅基二极管,SiC二极管采用肖特基结构,具备较低的正向导通电压。
SiC二极管的较小反向恢复电流能够带来更好的EMI性能。
5.优秀的导热性能
SiC材料拥有更好的导热效果,有利于降低结温,进而提高系统的可靠性。
如下图所示,纳芯微的SiC二极管采用MPS结构设计,与传统的JBS结构相比,具有显著优势。MPS结构中的PN结构在大电流下更容易开启,通过向高电阻的漂移区注入少数载流子形成电导调节效应,从而显著降低漂移区的导通电阻。在保持器件正向导通电压不变的情况下,器件的抗浪涌电流能力得到显著增强。
纳芯微SiC二极管结构设计示意图
纳芯微NPD020N120A SiC二极管在额定电流下的正向导通电压实测典型值为1.39V,而单次浪涌电流的实测典型值可以达到220A,是正向额定电流的11倍,性能优于行业水平。
这意味着纳芯微的SiC二极管具有更低的正向导通电压,同时在面对瞬态高电流冲击时,具备更强的抗浪涌能力。这种性能优势使得纳芯微的SiC二极管在高功率应用中表现出色,为系统的可靠性和稳定性提供了重要保障。
# SiC MOSFET 发布预告
除了SiC二极管产品外,纳芯微也在积极研发和验证1200V SiC MOSFET产品,并将于近期推出。纳芯微的SiC MOSFET产品将经过全面的车规级验证,以确保完全符合汽车级应用的要求。
纳芯微电子(简称纳芯微,科创板股票代码688052)是高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司。自2013年成立以来,公司聚焦传感器、信号链、电源管理三大方向,提供丰富的半导体产品及解决方案,并被广泛应用于汽车、工业、信息通讯及消费电子领域。
资料来源:纳芯微电子公众号
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原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):纳芯微:已发布SiC二极管和MOSFET 产品