2023年11月14日，工业和信息化部原材料工业司按照首批次应用保险补偿机制试点工作安排，组织修订形成了《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024年版）》（征求意见稿）。征求意见稿中列举了296项重点新材料，其中包括高纯氧化铝及球形氧化铝粉、氮化铝粉体、陶瓷件及基板、氮化硅基板、氮化硅陶瓷轴承球、氮化硼承烧板、电子级超细高纯球形二氧化硅、喷射成型耐高温耐腐蚀陶瓷涂层、陶瓷基复合材料、高性能陶瓷基板、高性能水处理用陶瓷平板膜材料、片式电阻器用电阻浆料、半导体装备用精密陶瓷部件、电子封装用热沉复合材料、高容及小尺寸MLCC 用镍内电极浆料、片阻用高精度低阻阻浆、5G 滤波器专用浆料、第三代功率半导体封装用 AMB 陶瓷覆铜基板、高可靠性封装的金锡合金等18种先进陶瓷产业相关材料/制品在列。
高纯氧化铝及球形氧化铝粉
性能要求：
（1）高纯氧化铝（4N）：纯度≥99.99%，比表面 3～5m2 /g，D500.5～20μm；
（2）高纯氧化铝（5N）：纯度≥99.999%，比表面：1.7m2 /g，D50：5μm，松装密度：0.27g/cm3，平均孔径：10.5nm；
（3）球形氧化铝粉：Al2O3≥99.7%，SiO2≤0.03%，Fe2O3≤0.03%，Na2O≤0.02%，EC≤10μs/cm，含湿率≤0.03%，真实密度 3.85±0.1g/cm3，球化率＞90%，白度≥90；
（4）高导热氧化铝粉体：产品粒径＞25μm（D50），氧化钠≤0.03%，氧化铁≤0.08%，氧化硅≤0.08%，电导率≤60μs/cm。
氮化铝粉体、陶瓷件及基板
性能要求：
（1）高纯氮化铝粉体：氧含量<0.8wt.%；碳含量<350ppm；铁含量<10ppm，硅含量<50ppm，钙含量<200ppm；比表面积 ≥2.5m2 /g。
（2）氮化铝陶瓷件：热导率≥180W/(m·K)；抗弯强度≥350MPa；电阻率≥10 14Ω·cm。
（3）高导热氮化铝基板：热导率≥200W/(m·K)，抗弯强度＞300MPa。
氮化硅基板
性能要求：
热导率≥85W/(m·K)，抗弯强度＞700MPa。
氮化硅陶瓷轴承球
性能要求：
抗弯强度≥900MPa；断裂韧性：6～7MPa·m1/2；硬度 HV10≥1480kg/mm2；压碎载荷比≥40%。
氮化硼承烧板
性能要求：
氮化硼含量＞99.5%；氧含量≤0.15%；密度 1.5～1.6g/cm3。
电子级超细高纯球形二氧化硅
性能要求：
SiO2＞99.9%，球化率≥99%，D50：0.3～3μm，电导率≤10μS/cm，烧失量≤0.2%。
喷射成型耐高温耐腐蚀陶瓷涂层
性能要求：
耐温 1200℃，硬度 HV1100，结合强度 45MPa，耐强酸强碱。
陶瓷基复合材料
性能要求：
（1）耐烧蚀 C/SiC 复合材料：密度为 2.5～3.2g/cm3，室温拉伸强度≥150MPa，拉伸模量≥120GPa，断裂韧性≥10MPa·m1/2，
1600℃拉伸强度≥100MPa，耐温性能≥1800℃，满足 2MW/m2 以上热流环境下 1000s 零烧蚀或微烧蚀的要求；
（2）核电用 SiC/SiC 复合材料：密度为 2.7～2.9g/cm3，室温拉伸强度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，断裂韧性≥10MPa·m1/2，
1200℃拉伸强度≥200MPa，导热系数≥20W/(m·K)，热膨胀系数（25℃～1300℃）3～5×10 -6 /℃；
（3）航空用 SiC/SiC 复合材料：密度为 2.5～2.9g/cm3，室温拉伸强度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，断裂韧性≥10MPa·m1/2，
1300℃拉伸强度≥200MPa，拉伸模量≥100GPa，断裂韧性≥10MPa·m1/2，强度保持率≥80%（1300℃、120MPa 应力下氧气环
境热处理 500 小时）。
高性能陶瓷基板
性能要求：
（1）高光反射率陶瓷基板：可见光反射率≥97%，抗弯强度≥350MPa，热导率≥22W/(m·K)；
（2）氧化铝陶瓷基板：抗弯强度≥700MPa，热导率≥24W/(m·K)，体积电阻率≥10 14Ω·cm。
高性能水处理用陶瓷平板膜材料
性能要求：
有效过滤面积 0.5±0.004m2，分离膜平均孔径 130～170nm，显气孔率 35～40%，纯水通量（25℃，-40kPa）＞500LMH，弯曲强度＞30MPa，酸碱腐蚀后强度＞20MPa。
片式电阻器用电阻浆料
性能要求：
浆料阻值范围：0.1Ω～10MΩ；浆料细度：≤5μm；电阻温度系数：≤±200ppm/℃（阻值范围 0.1Ω～10Ω）；≤±100ppm/℃（阻值范围 10Ω～10MΩ）。
半导体装备用精密陶瓷部件
性能要求：
（1）刻蚀装备用碳化硅电极：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度＞6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10 -6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa，电阻率 0.005～80Ω·cm；
（2）刻蚀装备用碳化硅环：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度＞6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10 -6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa；
（3）刻蚀装备用氮化硅陶瓷部件：密度≥3.15g/cm3；热导率（RT）≥27W/(m·K)；热膨胀≤3.5×10 -6 /K；抗弯强度≥550MPa；平均粒度≤4μm；韦伯模量≥9；关键尺寸精度±0.02mm；表面 0.3～5μm，尺寸颗粒≤5000count/cm2，表面有机物≤0.1μg/cm2 ;
（4）6 寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅舟：密度≥3.1g/cm3，导热系数≥160W/(m·K)，纯度≥99.9%，抗弯强度≥370MPa;
（5）6 寸及以上高温扩散工序用 CVD 碳化硅舟：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度＞6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10 -6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa;
（6）6 寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅炉管：纯度≥99.96%，密度≥2.9g/cm3，抗压强度≥350MPa；热膨胀系数≤4.5×10 -6℃-1 ;
（7）6 寸及以上高温扩散工序用 CVD 碳化硅炉管：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度＞6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10 -6℃-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa。
电子封装用热沉复合材料
性能要求：
（1）WCu：熔渗态密度≥11.6g/cm3，CTE6.5～13.5ppm/K，TC165～290W/m·K；
（2）MoCu：轧制退火态密度≥9.2g/cm3，熔渗态密度≥9.1g/cm3，CTE6.5～13.5ppm/K，TC155～210W/m·K；
（3）CMC：CTE7～10ppm/K，TC150～300W/m·K；
（4）CPC：CTE8～11.5ppm/K，TC180～300W/m·K。
高容及小尺寸MLCC 用镍内电极浆料
性能要求：
镍粉 0.15～0.20μm，最大粒径≤0.5μm，固含量 55±3%，粘度 10rpm19±2Pa·s，干膜密度＞5g/cm3，热膨胀系数 15±3%（1000～1200℃），能在厚度 3µm 以下的介质上通过丝印工艺形成精确的外观图形。
片阻用高精度低阻阻浆
性能要求：
金属粉：银钯含量 55±10%，粘度 250±50Pa·s/25℃（BROOKFIELD 粘度计，CP52 转子，2.0PRM），细度 90%处≤5μm，第二条线≤7μm；
电性能：方阻：8～10Ω，TCR<100PPM；方阻：800～1000mΩ，TCR<100PPM；方阻：90～100mΩ，TCR<100PPM；方阻： 10～20mΩ，TCR<400PPM；各相邻方阻可以互相混配；
可靠性：短时过载、断续过载、低温负载、温度快速变化、稳态湿热（1000h）、耐久性（155℃和-55℃下各 1000h）、双 85 高温高湿（1000h）：ΔR<±1%。
5G 滤波器专用浆料
性能要求：
粘度（Kcps/25℃）：10±3；含银量（%）73.5±2.0；无机物含量（%）78.0±2.0。
第三代功率半导体封装用 AMB 陶瓷覆铜基板
性能要求：
空洞率（C-SAM，分辨率 50μm）≤0.3%；剥离强度（N/mm）＞10；冷热冲击寿命（cycle）＞5000；可焊性＞95%；打线性能：剪切力≥1000gf。
高可靠性封装的金锡合金
性能要求：
（1）用于高可靠性封装的金锡合金预成形焊片：成分：金锡合金，Au 质量分数 78～80%；厚度≥7μm；长宽最小尺寸 0.2mm；熔化温度（℃）：280±3；焊接空洞率：≤3%；
（2）用于先进封装的金锡合金焊膏：焊粉成分：金锡合金，Au 质量分数 78～80%；粘度（Pa·s）：10-300；熔化温度（℃）：280±3；焊粉粒径：5-45μm；含氧量≤50ppm，不含卤素；
（3）用于高可靠气密性封装的预置金锡盖板：焊料成分：金锡合金，Au 质量分数 78～80%；焊料熔化温度（℃）：280±3；盖板镀层：六面镀镍金，镀层厚度 Ni（1.27～8.9μm）/Au（0.65-5.7μm）；耐盐雾：≥24H。