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基于GWB封装平台 -
功率密度高 -
低热阻设计 -
低寄生电感 -
通过HV-H3TRB、防硫等可靠性试验
3、150℃，VGE=15V，Vcc=1000V条件下短路能力≥10us。
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4、通过HV-H3TRB和硫化等高可靠性试验
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以MMG100W170HX6TC一体化模块为例
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基于GW封装平台 -
集成度高 -
功率密度高 -
内置NTC电阻 -
通过HV-H3TRB、防硫等可靠性试验
与原先方案对比，可实现的功能只多不少，而且1个一体化 IGBT模块构成高压变频器的1个单元，使系统级联设计变得更容易。
如果运行条件完全相同，使用一体化新产品可以大幅削减链节体积，从而缩小整机体积，降低结构成本，优化电气特性。
原文始发于微信公众号（宏微科技）：新品推介 | 宏微科技推出1700V IGBT产品，广泛应用于高压变频、SVG、储能等领域
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