碳化硅材料及装备供应商卓远半导体获2400万元战略投资

12月4日，江苏卓远半导体有限公司宣布获得凯得粤豪2400万元的财务投资。

资料显示，卓远半导体成立于2018年，专注于第三代宽禁带半导体晶体材料及其装备的研发生产与制造，拥有自主知识产权的SiC衬底材料制备及芯片设计核心技术，自主研发的MPCVD金刚石长晶炉打破了“瓦森纳协定”对我国半导体行业的技术封锁。

卓远半导体金刚石MPCVD基片技术国内领先，碳化硅衬底技术国内前列。2022年，公司研发并投入量产了第四代半导体材料金刚石，15mm×15mm的小小晶体，因其材料特性，被广泛应用于光学、航空航天等高科技制造业应用领域，目前在MPCVD金刚石设备及基片市场占有率达35%，是国内MPCVD先进材料设备龙头企业。

卓远半导体现有职工100余名，其中科研技术生产人员 26人，博士7人，队伍力量雄厚，形成“以技术人才带动产业发展”的优势格局。同时，卓远组建了江苏省外国专家工作室、南通市第三代半导体工程技术研究中心，牵头及参与起草制定了2项国家标准，申请专利45件，授权发明专利12件，获得国家级和省级荣誉七项。

今年5月底，卓远半导体金刚石基片产线项目入驻二期，二期厂区占地面积约15亩。规划有研发检测中心、中试车间及生产车间，并且配备专业检测及实验设备，主要产品为MPCVD金刚石装备及金刚石基片、SiC长晶设备及SiC衬底片等。

该项目旨在通过垂直整合制造模式，加快设计、制造共同迭代，并与上下游产业链联动发展，推动先进技术工艺的开发，形成具有自主知识产权的半导体装备及材料核心技术，为国内SiC市场带来更多的机遇。

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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：碳化硅材料及装备供应商卓远半导体获2400万元战略投资