国网嘉兴联合国电南瑞研制
首台国产SiC-MOSFET低压配电网柔性装置调控投运
12月14日，中国能源新闻网讯，首台基于国产SiC-MOSFET（碳化硅场效应管）的低压配电网柔性装置在嘉兴平湖现场联调成功，处于国际领先水平。
国网嘉兴供电公司联合国电南瑞科技股份有限公司研制低压配电网柔性调控装置，通过柔性灵活的电力电子模块实现线路电压调节、线路谐振阻尼控制、储能充放电变换等功能。
今年，双方持续深化合作，全力攻坚核心元器件国产化，实现国产SiC-MOSFET替代进口IGBT功率芯片，并正式投入应用。与台区扩容改造、分布式储能、低压能量路由器等治理手段相比，对配电台区供电质量的综合治理成本降低约75%。
随着装置核心器件的国产化应用，其成本进一步下探，已具备大规模推广应用条件。下一步，该公司将联合南瑞科技面向全国低压分布式光伏高渗透率区域进行推广应用，最大限度保障分布式光伏客户安全用电、足额发电，促清洁能源消纳，提升电网高效、低碳经济运行水平。
国电南自联合中国电科研发
“全国产化碳化硅功率模块的构网型储能变流器与控制关键技术及应用”正式发布
中国电力报公众号称，12月7日，在储能市场规模爆发式增长的背景下，国电南自与中国电科联合研发的“全国产化碳化硅功率模块的构网型储能变流器与控制关键技术及应用”成果顺利通过中国电工技术学会组织的科技成果鉴定并正式发布，标志着中国华电在储能核心技术方面取得重要突破，全面实现了储能控制装备的国产化替代，实现了功率电子核心器件自主可控，提高了在弱电网中运行的稳定性。
国电南自总工程师蒋衍君表示，11月25日，该技术在福建华电福瑞能源发展有限公司华安水力发电厂成功投运，截至目前，系统运行良好。
与会专家一致认为，该项目采用碳化硅功率模块研发的构网型储能变流器与控制技术总体达到国际领先水平。
中国电科基础办付兴昌表示，碳化硅器件在电网和储能领域有广阔的应用空间，希望双方未来能发掘出更多的合作场景。
同时，依托央企创新联合体平台，联合攻关双方成立“新型电力系统电力电子装备联合创新实验室”。未来，双方将依托联合实验室共同开展电网、储能领域的关键核心技术攻关、产品研制及产业化应用、高端人才联合培养等。
来源：中国能源新闻网，中国电力报公众号
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会议议题
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序号 |
暂定议题 |
拟邀请企业 |
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8英寸碳化硅衬底产业化进展 |
拟邀请碳化硅衬底企业/高校研究所 |
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大尺寸碳化硅单晶生长技术痛点解析 |
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新一代切片机“破局”8英寸碳化硅 |
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激光技术在碳化硅切割及划片上的应用 |
拟邀请激光企业/高校研究所 |
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液相法制备碳化硅技术 |
拟邀请碳化硅企业/高校研究所 |
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国产MBE设备应用及发展情况 |
拟邀请碳化硅外延企业/高校研究所 |
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SiC MOS器件结构设计解决方案 |
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适用于8英寸碳化硅的先进切割工艺 |
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化学机械抛光在碳化硅上的反应机理 |
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碳化硅衬底及外延缺陷检测技术 |
拟邀请检测设备企业/高校研究所 |
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8英寸碳化硅外延材料生长核心工艺与关键装备 |
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外延掺杂技术的优化与改进 |
拟邀请碳化硅外延企业/高校研究所 |
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8英寸碳化硅的氧化工艺技术 |
拟邀请碳化硅企业/高校研究所 |
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碳化硅离子注入设备技术 |
拟邀请离子注入企业/高校研究所 |
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高纯度碳化硅粉末制备碳化硅晶体 |
拟邀请激光企业/高校研究所 |
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碳化硅先进清洗技术 |
拟邀请清洗设备企业/高校研究所 |
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碳化硅关键装备的现状及国产化思考 |
拟邀请碳化硅设备企业/高校研究所 |
更多相关议题征集中，演讲及赞助请联系张小姐：13418617872 （同微信）
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拟邀企业
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2600/人 |
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2700/人 |
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项目 |
服务内容 |
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主题演讲+现场展台 |
30 分钟主题演讲 |
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3个参会名额 |
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商标展示：背景板logo、会刊封面logo |
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现场展示台1个，主办方提供搭建喷绘背景板搭建，客户自行设计（设计稿规格要求：宽*高 200cm*112.5cm，分辨率100以上，格式为PSD或AI原文件） |
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会刊广告 |
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易拉宝/礼品赞助（2选1） |
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主题演讲 |
30 分钟主题演讲 |
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现场展台 |
现场展示台，展示样品、资料以及洽谈 |
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喷绘背景板1个，主办方提供搭建搭建，客户自行设计（设计稿规格要求：宽*高 200cm*112.5cm，分辨率100以上，格式为PSD或AI原文件） |
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3个参会名额 |
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会刊广告 |
研讨会会刊，彩色全页广告（尺寸210*285mm） |
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主讲屏幕LED两边侧屏，单边侧屏广告，全天会议期间展示（客户自行设计，图片尺寸以实际面积为准） |
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参会证挂绳赞助 |
挂绳上印刷公司名称及LOGO |
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参会证赞助 |
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资料袋赞助 |
资料袋上印刷公司名称及LOGO |
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桌牌上印刷公司名称及LOGO |
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企业宣传册(不超过6页)放入资料袋 |
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礼品可印上公司logo，赠送参会听众作为企业标识推广 |
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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：国产SiC器件技术突破，国电投入电网电力系统应用
一颗芯片的制造工艺非常复杂，需经过几千道工序，加工的每个阶段都面临难点。欢迎加入艾邦半导体产业微信群：
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