邀请函 ▏第三届功率半导体 IGBT/SiC 产业论坛（苏州·6月14日）

IGBT 和 MOSFET作为功率半导体器件的两大主流产品，分别在高耐压（400V~10数kV）和低压（200V以下）领域应用占主导地位。目前硅（Si）仍是制作功率器件的主要材料，碳化硅（SiC）以耐高压、耐高温、高频等优势逐渐渗透多领域。

功率半导体器件正朝高功率密度、微型化、高效率、低能耗及高可靠性方向发展。在这一进程中，对芯片和封装技术不断提升的要求使得器件的集成度、散热性能和耐压能力面临更高挑战，推动了行业的新一轮创新。

功率半导体芯片产品差异化来自晶圆制造能力、封装测试能力及系统理解能力。技术升级使得芯片面积减小、开关损耗降低，但仅有芯片优化是不够的，高可靠性的封装技术也是保证芯片全效能发挥的关键。功率模块封装通常包括将一个或多个功率芯片与陶瓷衬板、引线、端子、绝缘灌封胶和外壳等集成，以提升功率模块的性能、使用寿命和可靠性。

半导体功率器件设计企业在提升产品性能时，涉及多个领域的交叉知识，包括工艺技术、器件结构设计、仿真、特性分析、封装测试、材料应用等，这些对于满足下游应用的性能、成本、可靠性等方面提出了综合性要求。

为进一步推动功率半导体器件产业的创新发展，艾邦智造将于6月14日在苏州举办《第三届功率半导体IGBT/SiC产业论坛》。论坛将聚焦IGBT、SiC等功率半导体的市场发展趋势、芯片设计、模块封装、材料创新、工艺设备及其应用等议题，诚邀产业链合作伙伴共襄盛举，共同探讨行业发展新策略。

主办单位：艾邦智造

媒体支持：艾邦半导体网、艾邦陶瓷展、智能汽车俱乐部、锂电产业通、光伏产业通、艾邦储能与充电

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• 主机厂、汽车零部件、充电桩、光伏逆变器、 风力发电机、 变频家电、光通信、工业控制等终端企业；
  
• IDM、功率半导体器件、晶圆代工、衬底及外延等产品企业；
  
• 陶瓷衬板(DBC、AMB)、键合丝、散热基板(铜、铝碳化硅AlSiC)、硅凝胶、焊料/焊片、烧结银、散热器、外壳工程塑料(PPS、PBT、高温尼龙）、PIN针、清洗剂等材料企业；
  
• 贴片机/固晶机、清洗设备、超声波焊接、点/灌胶机、垂直固化炉、真空回流焊炉、X-ray、超声波扫描设备、动静态测试机、银烧结设备、测试设备、电镀等设备企业；

• 高校、科研院所、行业机构等；

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★费用包括会议门票、全套会议资料、午餐、茶歇等，但不包括住宿。

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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：邀请函 ▏第三届功率半导体 IGBT/SiC 产业论坛（苏州·6月14日）