今日,长飞先进在官微发布公司的2023年度大事记,进行2023年度的回顾与总结。其中重点提到了公司自研芯片的进展:12月,长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiCSBD正式进入试产阶段,标志着公司已具备碳化硅产品自主研发及量产能力。

 

长飞先进 | 迈出Foundry转IDM第一步,首颗自研SiC芯片试产

一年多的时间,长飞先进发生了巨大变化。

2022年5月,长飞光纤完成对芜湖启迪半导体有限公司及芜湖太赫兹工程中心有限公司的收购与整合,并将公司更名为安徽长飞先进半导体有限公司,形成从设计、外延、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。

此后短短时间内,长飞先进半导体便开始引进近百名拥有半导体国际大厂背景的核心团队成员,核心团队成员平均15年以上行业从业经验,并计划实现由“Foundry”到“IDM+Foundry”的业务转型。截止目前长飞先进员工总数已超850人,团队规模不断发展壮大。

今年5月,公司举办了以"飞扬"为主题的首届战略发布会,明确提出”All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略,致力于成为"世界领先的宽禁带半导体"公司,同时官宣了位于武汉光谷科学岛的第三代半导体功率器件研发生产基地项目启动,计划建设形成年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块的能力,建设国内最大的SiC功率半导体制造基地。

长飞先进 | 迈出Foundry转IDM第一步,首颗自研SiC芯片试产

为实现这个规划,今年6月,长飞先进完成了国内宽禁带半导体市场上最大一笔A轮融资,宣布拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目,资金来源包括约36亿元的股权融资及约24亿元的银行贷款。

当前,长飞已形成了从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的完整产业链布局,拥有专业的SiC晶圆代工服务体系以及完整的650V-3300V SiC产品矩阵、自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台,据长飞的官微消息,公司15mohm产品比导通电阻 (Ron,sp)已达3.4mQ-mm²,已跻身国际先进水平。目前可实现从光伏、储能、充电桩到新能源汽车等应用领域的全覆盖,芜湖和武汉两大制造基地,可为客户提供充足的产能保障。

同时,IDM业务转型也迎来了新进展。2023年7月,公司SiC战略项目 (KO) A样品达到预期设计目标,标志着公司拥有车规级SiC MOSFET产品自主研发能力,成功实现从"Foundry"到“IDM”的业务转型,12月,长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiCSBD正式进入试产阶段,标志公司已具备碳化硅产品自主研发及量产能力。

除此之外,推动碳化硅产业发展,生态的形成至关重要。为此,长飞先进还正在筹建碳化硅功率器件应用实验室,计划与安徽省内新能源产业深化合作,协同发展,合力打造碳化硅产业生态圈。该实验室预计2023年12月底开工建设,建成后将具备面向新型功率控制系统的应用开发、创新及评价能力,可满足新能源汽车、光伏储能、充电桩等全应用场景的测评需求。

10月20日,长飞先进官微宣布,他们与奇瑞汽车股份有限公司签署了“汽车芯片联合实验室”战略合作协议,并举行了签约仪式。长飞先进总裁陈重国、奇瑞汽车芯片技术院负责人郭宇辉分别代表双方完成了签约。

长飞先进 | 迈出Foundry转IDM第一步,首颗自研SiC芯片试产

一年多,弹指一挥的时间,长飞先进正在快步大跑。相信公司也在这多变的市场环境里,沉淀了面对即将到来更为复杂竞争的底气与实力。

2024,蓄力长飞。

原文始发于微信公众号(碳化硅芯观察):长飞先进 | 迈出Foundry转IDM第一步,首颗自研SiC芯片试产

作者 808, ab