近日，台湾经济部通过世界先进(5347)「高功率暨高效能GaN on QST组件与制程技术开发计划」等4项A+企业创新研发淬炼计划，世界先进公司拟发展全球首例化合物半导体氮化镓磊晶于8吋QST基板(GaN-on-QST)，以及1200V高效能氮化镓功率组件制程技术，主要用于车用及工业应用市场，计划获得1.5亿元新台币的政府补助。
世界先进计划充分利用GaN-on-QST 8吋基板热匹配特性，预期提升组件耐压至1200V以上，开发后将可提供更优越的电动车车载充电器、充电桩等高压高功率系统的组件选择，结合效能和成本优势。根据Yole预估，2028年GaN整体市场需求将超过20亿美元，世界先进公司的开发计划预计于2024年启动，于3年内完成开发进入量产。
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