一、减薄原因
首先，IGBT器件的设计规格通常会明确规定晶圆的厚度范围。较薄的晶圆可以提供更低的导通电阻和更短的关断时间，从而提高器件的性能和效率。
晶圆的厚度对芯片的电性能有直接影响。在IGBT中，晶圆的厚度会影响导通电阻、漏电流和击穿电压等关键参数。通过减薄可以使得这些参数达到设计要求，以确保器件的可靠性和稳定性。
IGBT芯片在工作过程中会产生较大的功耗，需要有效地散热来保持温度在可控范围内。通过减薄晶圆可以降低芯片与散热器之间的热阻，提高热传导效率，从而改善热管理能力。
图源英创力科技
化学机械抛光是另一种常用的晶圆减薄方法。它结合了化学溶解和机械研磨的特点，通过在抛光液体中加入研磨粒子，使晶圆表面得到均匀的研磨和化学腐蚀，从而实现减薄。CMP可以提供更高的控制精度和表面质量，但同时也需要更复杂的设备和工艺控制。
图源吉致电子
三、减薄工艺流程
1. 厚度测量：在减薄过程中，使用精密的厚度测量设备监控晶圆厚度变化。常用测量方法包括光学干涉、干涉仪和X射线反射等。这些测量技术可以提供高精度的晶圆厚度数据，以指导后续的减薄步骤。
2. 掩膜保护：在进行减薄之前，需要对晶圆表面进行掩膜保护。通常采用光刻工艺，在晶圆表面涂覆光刻胶，并通过曝光和显影形成保护层。这一步骤的目的是防止减薄过程中引入额外的损伤或污染。
3. 粗研磨/粗抛光：在减薄过程的开始阶段，采用较大颗粒的研磨粉末或抛光液进行粗研磨或粗抛光。通过逐渐去除晶圆的材料，实现初步的厚度减薄。
4. 清洗和检查：在粗研磨/粗抛光后，对晶圆进行彻底的清洗，以去除残留的研磨或抛光液、掩膜胶等。然后进行检查，确保晶圆表面没有明显的损伤或缺陷。
5. 精研磨/精抛光：在粗研磨/粗抛光之后，采用更细的研磨粉末或抛光液进行精研磨或精抛光。这一步骤旨在进一步减薄晶圆并改善表面的平整度和光洁度。
6. 二次清洗和检查：在精研磨/精抛光完成后，再次对晶圆进行彻底的清洗，以确保表面干净无污染。然后进行严格的检查，以确认晶圆是否满足规定的厚度和表面质量要求。
7. 防静电处理：由于晶圆在减薄过程中可能积累静电电荷，需要进行防静电处理。这可以通过将晶圆放置在特殊的电离棒上进行消除，或者使用适当的防静电设备和工艺措施来实现。
8. 最后清洗和干燥：在减薄工艺的最后阶段，对晶圆进行最后一次清洗，确保表面无任何污染物。然后使用氮气或其他合适的方法进行干燥，以避免水分残留。
IGBT晶圆减薄是实现器件设计规格和性能优化的关键步骤。通过采用机械研磨或化学机械抛光等常用方法，并结合精确的工艺控制和厚度测量，可以实现对晶圆厚度的精确控制。
来源：颖特芯科技
了解更多资讯，加快产业上下游企业交流，艾邦建有IGBT/SiC产业链交流群，欢迎识别二维码加入产业链微信群及通讯录。
推荐活动：
| 序号 | 拟定议题 | 拟邀请 |
| 1 | 功率半导体行业的全球化趋势与本土化策略 | 赛米控丹佛斯 |
| 2 | 碳化硅（SiC）在电动汽车中的应用与前景 | 翠展微 |
| 3 | SiC芯片封装技术与新能源汽车系统集成 | 扬杰电子 |
| 4 | 高性能塑料封装材料的热稳定性研究 | 可乐丽 |
| 5 | 面向未来的功率半导体材料研究 | 拟邀请半导体材料企业 |
| 6 | 第三代半导体材料的研发趋势与挑战 | 拟邀请宽禁带半导体材料供应商 |
| 7 | 功率模块的设计创新及应用 | 拟邀请功率模块封装企业 |
| 8 | 碳化硅单晶生长技术的浅析与展望 | 拟邀请SiC供应商 |
| 9 | 大尺寸晶圆精密研磨抛光技术难点突破 | 拟邀请碳化硅研磨抛光企业 |
| 10 | 国内高端芯片设计与先进制程技术新进展 | 拟邀请芯片技术专家 |
| 11 | 高温SOI技术与宽禁带材料结合的前景 | 拟邀请芯片技术专家 |
| 12 | 烧结工艺的自动化与智能化 | 拟邀请烧结设备企业 |
| 13 | 功率模块封装过程中的清洗技术 | 拟邀请清洗材料/设备企业 |
| 14 | 高可靠功率半导体封装陶瓷衬板技术 | 拟邀请陶瓷衬板企业 |
| 15 | 超声波焊接技术在功率模块封装的应用优势 | 拟邀请超声波焊接企业 |
| 16 | IGBT/SiC封装的散热解决方案与系统设计 | 拟邀请散热基板企业 |
| 17 | 全自动化模块封装测试智能工厂 | 拟邀请自动化企业 |
| 18 | 新一代功率半导体器件的可靠性挑战 | 拟邀请测试技术专家 |
| 19 | 功率半导体器件在高温高压环境下的性能与适应性 | 拟邀请检测设备企业 |
| 20 | 新能源领域对功率器件的挑战及应对解决方案 | 拟邀请光伏功率器件专家 |
更多相关议题征集中，演讲及赞助请联系张小姐：13418617872 （同微信）
-
主机厂、汽车零部件、充电桩、光伏逆变器、 风力发电机、 变频家电、光通信、工业控制等终端企业；
-
IDM、功率半导体器件、晶圆代工、衬底及外延等产品企业； -
陶瓷衬板(DBC、AMB)、键合丝、散热基板(铜、铝碳化硅AlSiC)、硅凝胶、焊料/焊片、烧结银、散热器、外壳工程塑料(PPS、PBT、高温尼龙）、PIN针、清洗剂等材料企业； -
贴片机/固晶机、清洗设备、超声波焊接、点/灌胶机、垂直固化炉、真空回流焊炉、X-ray、超声波扫描设备、动静态测试机、银烧结设备、测试设备、电镀等设备企业； -
高校、科研院所、行业机构等；
方式1：请加微信并发名片报名
|
付款时间 |
1~2个人(单价每人) |
3个人及以上(单价） |
|
4月30日前 |
2600/人 |
2500/人 |
|
6月3日前 |
2700/人 |
2600/人 |
|
7月3日前 |
2800/人 |
2700/人 |
|
现场付款 |
3000/人 |
2800/人 |
★费用包括会议门票、全套会议资料、午餐、茶歇等，但不包括住宿。
点击阅读原文，即可在线报名!
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：IGBT晶圆减薄的关键原因及其工艺流程详解
一颗芯片的制造工艺非常复杂，需经过几千道工序，加工的每个阶段都面临难点。欢迎加入艾邦半导体产业微信群：
长按识别二维码关注公众号，点击下方菜单栏左侧“微信群”，申请加入群聊
为加快产业上下游企业交流，艾邦建有IGBT产业链交流，欢迎识别二维码加入产业链微信群及通讯录。
长按识别二维码关注公众号，点击下方菜单栏左侧“微信群”，申请加入群聊