英飞凌推出新一代SiC MOSFET沟槽技术

与上一代产品相比，英飞凌最新的 CoolSiC™ MOSFET 650 V 和 1200 V 第 2 代产品在不影响质量和可靠性水平的情况下，将存储能量和电荷等 MOSFET 关键性能数据提高了 20%，从而提高了整体能效，并进一步促进了脱碳。

CoolSiC MOSFET第2代（G2）技术继续利用碳化硅的性能，通过降低能量损耗，在功率转换过程中转化为更高的效率。这为客户在光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等各种功率半导体应用中提供了巨大的优势。与前几代产品相比，配备 CoolSiC G2 的电动汽车直流快速充电站可将功率损耗降低多达 10%，同时在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电容量。基于CoolSiC G2器件的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，采用CoolSiC G2设计的太阳能逆变器在保持高功率输出的同时实现了更小的尺寸，从而降低了每瓦成本。

“大趋势需要新的、有效的方法来产生、传输和消耗能源。凭借CoolSiC MOSFET G2，英飞凌将碳化硅性能提升到一个新的水平，“英飞凌绿色工业电源事业部总裁Peter Wawer博士说。“这种新一代碳化硅技术能够加速设计成本更优化、更紧凑、更可靠和更高效的系统，从而节省能源并减少现场安装的每瓦特二氧化碳。这是英飞凌推动创新推动工业、消费和汽车行业脱碳和数字化的一个很好的例子。

英飞凌的 pioneeingr CoolSiC MOSFET 沟槽技术提供了优化的设计权衡，与目前可用的 SiC MOSFET 技术相比，可实现更高的效率和可靠性。结合屡获殊荣的.XT封装技术，英飞凌正在进一步提高基于CoolSiC G2的设计潜力，具有更高的导热性、更好的装配控制和更高的性能。