百识电子完成A+轮融资，加速耐高压、大尺寸第三代半导体外延布局

近日，南京百识电子科技有限公司（以下简称“百识电子”）完成A+轮融资，多家知名机构参投。

百识电子成立于2019年，由多名拥有数十年第三代半导体外延经验的资深专家联合创办，核心团队具备外延工艺开发、良率保障、设备改良等全栈能力。公司首条产线位于南京市浦口区，于2021年投产，当前年产能达5万片，客户多为全球巨头及国内龙头。公司计划近期在长三角落地二期产线，产能规划28万片/年，打造全国最领先的车规级三代半外延片制造工厂。

尽管碳化硅扩产如火如荼，但国内碳化硅晶圆有效产能不足100万片，尚存产能缺口。随着主机厂加快高压快充平台上车，国内衬底、设备等产业链上端工艺自主性更趋成熟，第三代半导体产业已进入规模化拐点。

百识电子凭借团队雄厚量产经验及高质量制造能力，提供六英寸及八英寸外延片, 以满足新时代功率器件市场需求。除标准规格外延片，百识电子可针对特殊应用市场需求，提供客制化规格外延服务及器件开发所需的关键制程。

碳化硅外延层的厚度、浓度与表面缺陷的数量会影响器件电气特性，导致碳化硅器件良率有所损失。目前一般外延技术只能控制表面尺寸较大 (如三角缺陷、胡萝卜缺陷，直线缺陷与彗星缺陷等)的致命(killer)缺陷，密度大约1/cm2，表面微坑洞(micro-pits)的数量高达每片5,000颗以上。百识以独有的外延技术可将表面缺陷数量有效控制在密度小于0.4/cm2以下，表面微坑洞(micro-pits)< 1,000个/wafer，同时具备有较低的致命缺陷与表面微坑洞的优势。2023年百识外延工艺和技术水平持续精进，3,300V碳化硅外延片实现高良率高质量生产，产品厚度均匀性1.18%，浓度均匀性1.32%，并稳定出货全球轨交头部客户。超高耐压（6,500V及以上）外延技术持续突破，缺陷控制已达国际先进水平。

百识电子董事长李屏表示百识电子非常感谢大家的支持。目前南京厂量产顺利，二期产线也在积极落地中。我们仍会努力提升产品品质，拓展海内外市场，凭借诚信、专业、纪律和质量的核心文化, 百识电子致力于成为国际一流的宽禁带材料外延代工服务商。

百识电子CEO宣融表示第一代半导体和第二代半导体形成了深度专业化分工的格局，行业效率得到大幅提升。随着第三代半导体产业逐步成熟，专业化分工亦是大势所趋。相对产业链其他环节玩家拥挤，外延环节国内规模企业较少。百识具备业内第一批专注三代半外延研发及生产的团队，并拥有海内外尖端客户扎实的信任基础。非常感谢新老股东对于百识的支持，我们非常有信心在行业发展的浪潮下持续保持领先地位。

原文始发于微信公众号（百识电子）：百识电子完成A+轮融资，加速耐高压、大尺寸第三代半导体外延布局