天域半导体，成立于2009年，是我国最早实现第三代半导体碳化硅外延片产业化的企业之一。作为国内首家获得汽车质量认证(IATF 16949)的碳化硅半导体材料企业，天域半导体专注于为客户提供N型、P型掺杂半导体材料，可制作650V~3300V、3300V~20000V单极和双极功率器件，涵盖SBD、MOSFET、IGBT、JBS等产品。
在产能方面，天域外延晶片产能约为40万片/年。
截至2024年2月3日，天域半导体的"总部及生产制造中心建设项目（第一期）"厂房封顶，将建设年产能约17万片的6/8英寸SiC外延片生产线，其中6英寸产能占比约90%，8英寸产能占比约10%。项目全部达产后，将搭建100万片/年的SiC外延片产线。
同时，松山湖厂区项目将进行第七次改扩建，扩建结束后，SiC外延片最大年产能将达到33.44万片；天域半导体的SiC外延片年产能将增至133.44万片。
天域半导体股东背景雄厚，曾获得华为哈勃、比亚迪、上汽尚颀等公司的投融资，客户群包括华为、中国中车、国家电网、比亚迪、香港APS、美国X-FAB、韩国现代等知名企业，以及数十家国内大学、科研院所和设计公司。该公司在2023年完成了12亿元的Pre-IPO轮融资，并于同年6月完成上市辅导，旨在冲刺IPO。
在技术突破方面，天域半导体实现了4、6英寸4H-SiC外延晶片全系列产品的批量生产，国内最早实现6英寸外延晶片量产；提前布局国内8英寸SiC外延晶片工艺线的建设，并正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术；实现20 kV级以上的厚外延生长；掌握缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术；并拥有多层连续外延生长技术等一系列领先技术。
天域半导体以其技术实力、产能扩张和客户基础的不断壮大，为中国碳化硅半导体材料产业发展树立了典范，展现了强劲的发展势头和潜力。
