4月8日消息，亚利桑那州立大学电气工程助理教授付厚强荣获2024年美国国家科学基金会早期职业发展计划（CAREER）奖，以探索超宽禁带半导体氮化铝（AlN）在功率电子学中的潜力。
付厚强教授 图源compoundsemiconductor
付教授的目标是开发AlN功率场效应晶体管（FET），与硅、SiC或GaN制造的器件相比，AlN FET可以更高效地控制功率流动、且能承受更高温度和更大电压。
尽管氮化铝具有很好的特性，但关于如何有效利用该材料进行功率电子学研究的知识不足，限制了其发挥全部潜力。
付教授将领导为期五年的研究项目，以确定如何最好地解决氮化铝使用中面临的主要问题。该项目将重点关注如何最好地生长制造氮化铝所需的晶体、精炼它、对其进行精炼、将其制造成功率电子器件以及将这些器件集成到电气系统中。
"新型氮化铝功率电子器件可以提供卓越性能，并对电网现代化、交通电气化和温室气体排放产生重大影响，" 付教授表示。"这些电子产品还将显著提高当前电网基础设施的韧性、可靠性和效率。它们还将有助于减轻电力中断对健康和经济的影响，并提高能源安全性。"
付厚强教授本科毕业于武汉大学，美国亚利桑那州立大学（ASU）电子工程系博士毕业，并获得asu突出研究成就奖和最高荣誉的palais优秀博士生奖。目前已发表高质量sci学术论文40余篇，两个专著章节和多次国际会议报告，申请美国专利10余项，相关成果被国际著名科技媒体报道与转载，包括半导体权威杂志semiconductor today，compound semiconductor, silicon valley microelectronics 等。
原文链接：
https://compoundsemiconductor.net/article/119111/Arizona_State_University_to_explore_potential_of_AlN
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