这两款产品采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺，导通电阻极低。此外，L-TOGL™封装采用铜夹片结构，通过厚铜框连接MOSFET芯片和外部引脚。与东芝现有TO-220SM(W)封装相比，封装电阻下降大约70%，结壳热阻降低50%。同时，该封装采用鸥翼式引线，可降低安装应力，提高板载贴装器件焊点可靠性。这些特性可在大电流时实现设备的低功耗和高散热，满足汽车设备对48V电池日益增长的需求。
当应用需要更大工作电流时，可以并联MOSFET。在这种并联连接中，并联MOSFET的特性差异越小越好。为减小这种偏差，我们支持根据栅极阈值电压分组发货。
本系列目前有四种L-TOGL™封装产品，包括东芝现有40V产品“XPQ1R004PB和XPQR3004PB”。
该两款产品可应用于汽车设备当中，包括逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动电路等。产品特性如下：
东芝将提供更多合适的产品，以满足车载应用对大电流、高功率密度设计和高可靠性不断增长的需求。
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原文始发于微信公众号（东芝半导体）：东芝80V／100V车载N沟道功率MOSFET的产品线扩展，适用大电流、高散热车载应用