5月4日，Soitec宣布推出其首款 200 mm碳化硅 SmartSiC™ 晶圆。随着该产品的发布，Soitec 能够将其 SiC 产品组合扩大到 150 mm以上，将其 SmartSiC™ 晶圆的开发提升到一个新的水平，并满足汽车市场不断增长的需求。
200mm 尺寸的 SmartSiC™ 衬底来自 Soitec 在格勒诺布尔 CEA-Leti 的衬底创新中心的试验线。Soitec 将展示 200 mm SmartSiC 晶圆的质量和性能，并进行第一轮关键客户验证。
Soitec 于 2022 年 3 月在法国 Bernin 4 启动了新晶圆厂的建设。该晶圆厂主要致力于制造 150 mm和 200 mm的 SmartSiC™ 晶圆，预计将于 2023 年下半年投入运营。
Soitec 独特的 SmartSiC™ 技术可显着提高电力电子设备的性能并提高电动汽车的能源效率。该技术包括将非常薄的高质量 SiC 层粘合到电阻率非常低的多晶硅晶片上。
Soitec 首席技术官 Christophe Maleville表示："Soitec 的 SmartSiC™ 衬底将成为节能电动汽车的关键，我们独特的技术使我们能够开拓尖端工程衬底，并为汽车和工业市场的电力电子开辟新的前景。在我们的 SiC 衬底系列中增加 200 mm，使我们能够进一步区分我们的产品组合，并在产品质量、可靠性、体积和能源效率方面满足更多客户的要求。200mm SmartSiC™ 晶圆的发布是我们 SmartSiC™ 技术开发和部署的一个重要里程碑。 它巩固了我们的技术领先地位，我们有能力推动创新和推出下一代晶圆技术的能力。"
来源：Soitec
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