据“湖南三安半导体”消息，5月6日湖南三安半导体董事长作为中国半导体企业代表应邀参加了中法企业家委员会第六次会议闭幕式。
他介绍道，位于湖南湘江新区的湖南三安半导体责任有限公司，2020年落户长沙，仅用一年时间就点火试产。目前，一期已经全线投产，目前碳化硅年产能已达到25万片（6吋）。二期正在建设中，将全部导入国际领先的8吋生产设备和工艺，计划今年三季度投产。整个项目达产后将实现总计年产48万片的规模。
据了解，该项目作为中国首条、世界第三条碳化硅全产业链整合研发与制造平台总投资160亿元，规划用地面积约1000亩，2020年7月破土动工。主要建设具有自主知识产权，以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节。一期项目于2021年6月23日正式投产，并于同年11月量产下线碳化硅肖特基二极管全系列产品，产能与良率稳步爬坡。2022年7月，该项目二期工程开工，目前正在建设中。
湖南三安半导体展出1200V 8mΩ SiC MOSFET（来源：中国电子报）
来源：湖南三安半导体及网络信息
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：25万片！湖南三安SiC项目最新进展
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