芯达茂推出1200V超大单芯片低比导通电阻平面栅SiC MOSFET产品

 此产品应用专利：一种新型SiC MOSFET的结构及其制作方法。

 通过在两P型基区间注入适当剂量的氮离子形成超结N层，使超结N层与P型基区保持电荷平衡，形成超结结构。

 不仅没有增加工艺上的难度，还可维持所需的耐压水平，并且相较于传统 SiC MOSFET能够有效的降低 20%的比导通电阻，大大缩小芯片面积，减小了生产成本。

 碳化硅MOS在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大的优势。碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目前国内外电动汽车电机领域研发的重点，使用碳化硅器件，功率驱动模块集成到了电机内，能够实现了一体化和小型化目标，预计近几年碳化硅器件将广泛应用在国内外的电动汽车上。

 目前SiC MOSFET主要是以平面栅技术为主，我司在平面栅技术上不断迭代，开发第二代1200V40&80mohm SiC MOSFET采用平面栅工艺结合自有专利技术使得其比导通电阻较上一代产品下降了20%，保持技术上的先进性，峰值功率、峰值电流和可靠度，都能满足工业和车规中的应用要求。

 高温应用：由于SiC MOS晶体管具有更高的热稳定性，可以在更高的工作温度下运行，因此适用于高温环境下的应用，如电力电子、汽车、太阳能等领域。

 高功率应用：SiC MOS晶体管具有更高的耐电压和更低的导通电阻，因此可以承受更高的电流和功率。因此，它们在高功率应用中表现出色，如电力变换器、电动汽车和航空电子设备等。

 快速开关速度：SiC MOS晶体管具有更高的开关速度，可以实现更快的切换和更高的频率响应。因此，它们适用于高速应用，如通信、雷达和无线电领域。

 小型化设计：由于SiC MOS晶体管具有更高的电子迁移率和更小的电容，因此它们可以设计成更小的尺寸，冷却系统。

 稳定性：1200V超大单芯片SiC MOS 导通电阻可达13mohm，从而能够减小在车用功率模块中并联的芯片颗数，能降低因芯片间差异产生的热失控风险。

 系统兼容性：SiC MOS晶体管的驱动电压为15V，能够与IGBT的驱动电路相匹配，解决驱动电路难以选择的问题。

节能环保：碳化硅MOSFET晶体管的电气特性优越，可以实现更高效的能量转换，减少能源消耗。

长寿命：碳化硅MOSFET晶体管具有更高的耐受高温和高电压的能力，因此其寿命比传统的硅基MOSFET晶体管更长。这意味着减少了电子设备的更新和报废，降低了废弃物的产生和环境污染。

无铅环保：碳化硅MOSFET晶体管的制造过程中不需要使用铅，避免了铅污染对环境和人类健康的影响。

减少碳排放：碳化硅MOSFET晶体管的高效能量转换和长寿命特性可以减少能源消耗，从而降低碳排放量，有助于应对全球气候变化。