5月14日，国星光电接受机构调研时表示，已实现三代半GaN芯片的封装产品量产，并正在接受客户的订单。 据了解，国星第三代半导体项目组成立于2019年，致力于高可靠性功率器件的封装设计与生产制造。作为国星光电前瞻布局的重要方向之一，产品系列覆盖碳化硅分立器件（SBD、MOS）、碳化硅功率模块、氮化镓分立器件等，包括DFN 5*6、DFN8*8；TO-220、TO-247 2L/3L/4L、TO 252等封装形式。 SiC功率模块 根据以往消息，国星光电还在2022年收购了半导体封测厂商风华芯电。拥有20余条国际先进水平的半导体封装测试自动化生产线，可生产20多个封装系列、1000多个品种、60亿只以上的半导体分立器件。目前已实现基于 三代半 GaN 芯片的封装产品量产，为后续产品转型升级、市场开拓打好基础。 -END- 原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：国星光电已实现GaN芯片的封装产品量产 文章导航 功率SIC晶圆前端设备市场将于 2026 年达到 50亿美元的峰值 【邀请函】碳化硅加工及功率半导体IGBT产业论坛（7月4-5日 苏州）
