近日，芯塔电子正式推出新品1200V/14mΩ SiC MOSFET，主要应用于电动汽车主驱功率模块。此举使得芯塔电子跻身为国内极少数可批量提供大电流低导通电阻SiC MOSFET产品的碳化硅器件厂商之一。
芯塔电子团队通过器件结构的优化设计，芯片的各项参数表现优异：在击穿电压和阈值电压上一致性及稳定性好，Rsp达到业界领先水平，综合优势明显。值得一提的是，依托芯塔电子国产化供应链，1200V/14mΩ SiC MOSFET的衬底、外延使用国产材料，晶圆流片及芯片封装均在国内完成！产品的研发及量产成功也为车用功率芯片高质量国产替代提供了坚实保障。
为了给客户提供更加高效可靠的SiC MOSFET产品，芯塔电子对整个产品的项目周期施行严格的质量控制。1200V/14mΩ SiC MOSFET执行比AEC-Q101更加严格的测试条件，按照VDS=960V进行HV-H3TRB可靠性验证。产品重要特性参数拥有较高一致性：Vth参数漂移量在1.5%以内，BVDS参数漂移量在1.0%以内,RDs（on）参数漂移量在1.5%以内。
芯塔电子目前已推出650V/1200V/1700V多个电压平台的近40款SiC MOSFET系列产品，并拓展了TO-263-7、DFN 8*8、Toll等具有更小尺寸、更低寄生干扰、优异热管理能力及高可靠性的封装外形，部分产品已通过车规AEC-Q101及加严H3TRB双认证。
基于1200V/14mΩ SiC MOSFET芯片的优异性能，芯塔电子相继发布了包括单管及HPD模块在内的多种封装形式。随着芯塔电子SiC MOSFET家族再次迎来新成员，公司碳化硅产品系列化布局更加齐全，产品覆盖电动汽车(EV)主驱逆变器、OBC/DC-DC、充电桩、光伏和储能系统(ESS)以及工业电源等诸多领域，以满足客户不同应用场景的多样化需求。
原文始发于微信公众号（芯塔电子）：面向主驱应用，芯塔电子正式发布1200V/14mΩ SiC MOSFET
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