碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有宽的禁带宽度、高击穿电场、高热传导率和高电子饱和速率等众多优异物理性能，可广泛应用于5G通信、航空航天、新能源汽车、智能电网等领域。由于生产工艺成熟度等问题，目前工业级碳化硅晶圆中的缺陷（如点缺陷、晶格缺陷、杂质等）浓度通常远高于硅晶半导体晶圆，因此对碳化硅晶圆的表面和体相缺陷检测对提生晶圆质量、优化工艺、提高晶圆和芯片良率至关重要。SiC少子寿命成像系统可通过检测外延层的少子寿命，反馈晶圆的点缺陷浓度及其分布状况，从而体现外延层的晶格质量状况。
创锐光谱基于瞬态光谱技术而发展的整幅面成像检测方法相比于传统的微波电导率衰减法（点扫描检测模式）极大的提升了空间、时间分辨率和检测效率等关键参数，可广泛的应用于生产线上的大批量晶圆的快速检测和筛查。
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原文始发于微信公众号（创锐光谱）：创锐要闻│创锐光谱SiC少子寿命质量成像检测系统完成订单交付
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