效率最高丨大于15片/小时！华工激光这台超高效装备助力第三代化合物半导体产业发展提速

碳化硅是第三代半导体材料的典型代表，以其卓越的物理和化学特性成为5G、新能源、AI人工智能、物联网等前沿技术领域中的材料新宠。随着技术进步与应用升级，半导体器件制造对退火工艺的要求不断提高，传统的高温热退火工艺存在种种不足，行业需要一种区域可调、深度可控的新型退火方案。

激光退火原理是利用高能量的激光束，通过光斑整形后，辐射整片SiC晶圆背金（Ni或Ti层）发生合金化反应并生成Si合金化合物层、碳聚集位层以及碳空位层，降低过渡族金属与SiC衬底间的势垒差，形成良好的欧姆接触，起到降低接触电阻、提高器件电学性能的作用。

较传统快速热退火技术（RTA），激光退火技术（LA）具备诸多优势：

激光退火技术深度可控、区域可调的优秀特性，有效克服了传统快速热退火技术的痛点，使其成为化合物半导体加工领域的新一代关键退火技术。

面对化合物半导体市场发展的紧迫需求，华工激光瞄准碳化硅器件加工痛点，专注于SiC、GaN、InP、AsGa等化合物半导体的激光微纳加工和量测领域，凭借先进的激光加工技术和AOI检测等核心技术，全面布局化合物半导体生产上中下游关键制程，针对性为行业客户定制一站式系统解决方案。

全自动晶圆激光退火智能装备

围绕“装备智能化、产线自动化、工厂智慧化”的发展脉络，华工激光构建起衬底缺陷检测、晶圆厚度检测、激光ID标刻、激光退火、激光开槽、激光改质切割、晶圆裂片等一系列关键制程的全产业链整体解决方案，充分挖掘先进激光及量测技术的广阔应用场景，助力行业发展实现国产替代，提“智”升级。

华工激光凭借在激光加工领域的强大技术实力，坚持对创新的坚持与对品质的不懈打磨，为化合物半导体行业客户提供专业、高效、全面的“激光+智造”整体解决方案，致力于成为化合物半导体先进激光加工及量测设备国产替代首选品牌，持续推动化合物半导体领域“换道超车”，实现高质量发展。