5月13日，意法半导体（STMicroelectronics，ST）和 MACOM宣布宣布成功生产射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型。
RF GaN-on-Si为 5G 和 6G 基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 主导了早期射频功率放大器 (PA)。对于这些射频功率放大器，GaN 可以提供比 LDMOS 更高的射频特性和显着更高的输出功率。此外，它可以在硅或碳化硅 (SiC) 晶片上制造。由于高功率应用对 SiC 晶圆的竞争以及其非主流半导体加工，RF GaN-on-SiC 可能会更昂贵。另一方面，意法半导体和 MACOM 正在开发的 GaN-on-Si 技术有望通过集成到标准半导体工艺流程中实现巨大的规模经济，具有竞争力。
意法半导体制造的原型晶圆和器件已实现成本和性能目标，使其能够有效地与市场上现有的LDMOS 和 GaN-on-SiC 技术竞争。这些原型现在正在迈向下一个重要里程碑——认证和工业化，意法半导体的目标是在 2022 年实现这一里程碑。随着这一进展，意法半导体和 MACOM 已经开始进一步研究以加快向市场交付先进射频 GaN-on-Si 产品的速度。
意法半导体功率晶体管子集团总经理兼执行副总裁 Edoardo Merli 表示：“我们相信，该技术现在已经达到了性能水平和工艺成熟度，可以有效地挑战现有的 LDMOS 和 GaN-on-SiC，我们可以为包括无线基础设施、商业化在内的大批量应用提供成本和供应链优势，将RF GaN-on-Si产品商业化是我们与 MACOM 合作的下一个重要里程碑，随着不断的进步，我们期待着充分发挥这一激动人心的技术的潜力。”
MACOM 总裁兼首席执行官Stephen G. Daly 表示：“我们一起在推动GaN-on-Si 技术走向商业化和大批量生产方面继续取得良好进展，我们与 ST 的合作是我们射频功率战略的重要组成部分，我相信我们可以在GaN-on-Si技术满足要求的目标应用中赢得市场份额。”
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：意法半导体与MACOM成功生产射频硅基氮化镓原型
