瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，现有3款产品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于车载电驱动系统，凭借出色的性能表现，已获得多家车载电驱动客户的项目定点。
瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET特性
第三代1200V SiC MOSFET仍为平面栅型MOSFET，相比第二代工艺，元胞的Pitch缩小了超过20%。
而且，第三代产品的导通电阻Rds(on)的温度系数明显降低，在高温运行情况下，导通电阻增加较少。如下图所示，当Vgs=15V应用时，175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.42倍；当Vgs=18V应用时，175°C时的Rds(on)对比25°C时的Rds(on)只有1.65倍。
关于瞻芯电子
瞻芯电子将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。
产品概览
原文始发于微信公众号（瞻芯电子）：瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产
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