背景技术
第三代半导体材料SiC（碳化硅）是由碳元素和硅元素稳定结合而成的晶体，具有宽禁带、高热导率、高载流子饱和迁移率等优越性能，在高功率、高频率、高电压等领域有着独特优势及广泛前景。SiC材料本身具有的这些优势使得SiC功率器件能够在目前大部分的功率器件应用范围内展现出足以取代Si基功率器件的潜力。
目前，SiC功率器件已经在650V～1200V电压等级的区间占有了一部分市场。其中SiC Trench MOSFET器件凭借导通电阻小、元胞密度大等优势成为SiC功率器件的研究热点之一。但由于沟槽的引入导致在栅氧化层拐角处容易集中极大电场，使栅氧化层被击穿，存在可靠性问题。因此本领域需一种新的SiC Trench MOSFET器件及其制备方法，以有效地保护沟槽底部的栅氧化层，提高器件的可靠性。
方案内容
仿真数据
结构仿真后有进行电场强度分析，确认底角有P离子区保护的结构电场强度有明显的降低。并且通过提高保护层的P离子浓度可以进一步降低底角电场强度从而达到更好的保护作用，如图5所示。
△图5
END
原文始发于微信公众号（芯达茂微电子）：「技术介绍」提高SiC Trench MOSFET可靠性的一种制备方法
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