7月18日，国内稀缺的独立第三方半导体掩模版厂商龙图光罩披露招股意向书。根据相关安排，本次发行初步询价日期7月23日，申购日期7月26日。
根据招股书，龙图光罩拟在科创板公开发行3337.5万股，募集资金6.63亿元，投建高端半导体芯片掩模版制造基地项目、高端半导体芯片掩模版研发中心项目，并补充流动资金。
根据招股书，龙图光罩已掌握130nm及以上节点半导体掩模版制作的关键技术，形成涵盖CAM、光刻、检测全流程的核心技术体系。在功率半导体掩模版领域，公司工艺节点已覆盖全球功率半导体主流制程的需求。
随着全球半导体行业快速发展，半导体掩模版的技术指标要求不断提高。以电子束光刻技术和 PSM 相移掩模技术等为核心的第三代半导体掩模版技术是实现 130nm 以下制程半导体掩模版量产的必备技术。
掩模版，是集成电路制造过程中的图形转移工具或者母板，承载着图形信息和工艺技术信息。掩模版的作用是将承载的电路图形通过曝光的方式转移到硅晶圆等基体材料上，从而实现集成电路的批量化生产。掩模版广泛应用于半导体、平板显示、电路板、触控屏等领域。
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按光掩模版基板材料可分为透明树脂基板和透明玻璃基板；
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按光掩模版遮光膜材料可分为乳胶遮光膜与硬质遮光膜两大类；
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按光掩模版的用途可分为铬版、凸版、干版和液体凸版四类。
相比较而言，半导体掩模版在最小线宽、CD 精度、位置精度等重要参数方面，均显著高于平板显示、PCB 等领域掩模版产品。
注：1、数据来源于可比公司官网、公开披露文件；2、关键参数的比较中，选取均为各 领域代表产品参数，其中半导体为 130nm 工艺节点半导体掩模版关键参数，平板显示为高 精度 TFT-Array 掩模版关键参数，PCB 为《IPC-2221 印制电路板通用设计标准》规定的最 高精度标准下的 PCB 掩模版关键参数；3、此处掩模版最小线宽指掩模版产品本身的最小线宽。由于半导体光刻时使用投影式光刻，掩模版上曝光的图案按照 4:1 的比例投影至晶圆上， 因此 0.5μm 的掩模版自身最小线宽对应下游半导体线宽约为 130nm。显示面板、PCB 在曝 光时通常采用接近式光刻，掩模版上的图案按照 1:1 的比例曝光。
掩模版又称光罩、光掩模、光刻掩模版、掩膜版、掩膜板等，是光刻工艺中关键部件之一。半导体制造的光刻是指通过曝光工序，在晶圆表面的光刻胶上刻画出电路图形，然后通过显影、刻蚀等工艺流程，最终将电路图形转移到晶圆上的过程。掩模版在半导体生产中的应用如下图所示：
半导体器件和结构是通过生产工艺一层一层累计叠加形成的，芯片设计版图通常由十几层到数十层图案组成，芯片制造最关键的工序是将每层掩模版上的图案通过多次光刻工艺精准地转移到晶圆上（如下图所示）。半导体光刻工艺需要一整套相互之间能准确套准的、具有特定图形的“光复印”掩模版，其功能类似于传统相机的“底片”。
其他半导体掩模版厂商还有美国 Photronics、日本 Toppan、日本 DNP、中国台湾 光罩以及中国大陆的迪思微、中微掩模等。
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：半导体掩模版厂商龙图光罩即将登录科创板
