株式会社大赛璐和大阪大学产业科学研究所的研究团队在开发新型银（Ag）-硅（Si）复合烧结材料方面取得的成功。研究团队成功开发了一种新的银硅复合烧结材料，与仅使用银的传统材料相比，在经过-50℃至250℃的1000次循环热冲击试验后，新材料的强度保持率约为传统材料的两倍。这一材料不仅能维持极高的可靠性，还能降低材料成本，适用于高性能功率半导体的制造。
在高于200℃的环境中，SiC功率半导体存在操作上的问题，尤其是在耐热和散热技术以及维持结构可靠性的材料开发方面进展缓慢。新开发的银硅复合材料通过在银与硅的接合界面上形成氧化膜，确保低温界面的稳定形成，并实现低热膨胀系数的接合材料，从而显著改善了界面裂纹和结构破坏的问题。通过调整硅的添加量，可以控制热膨胀系数，进一步提高材料性能。
将新开发的银硅复合烧结材料用于SiC功率半导体与DBC基板的接合，可以减少热膨胀失配，即使在严苛的使用环境中也能防止接合界面裂纹和结构破坏，确保优越的接合可靠性。此外，添加硅还可以降低材料成本。这一成果有望延长SiC功率半导体的使用寿命，提高其可靠性，并降低接合材料成本，从而加速新一代功率半导体模块在电动汽车等领域的应用。
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