国产沟槽型碳化硅 MOSFET芯片技术

9月1日，据“南京发布”消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时4年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET芯片性能“天花板”，这是我国在这一领域的首次突破。

国家第三代半导体技术创新中心（南京）建立全新工艺流程，突破“挖坑”难、稳、准等难点，成功制造出沟槽型碳化硅MOSFET芯片，较平面型提升导通性能30%左右。

目前中心正在进行沟槽型碳化硅MOSFET芯片产品开发，推出沟槽型的碳化硅功率器件。预计一年内可在新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域投入应用。

晶圆级绝缘体上碳化硅（SiCOI）制备

近日，据“青禾晶元”官微宣布，在绝缘体上碳化硅（SiC-on-Insulator，简称SiCOI）材料的制备技术上取得了重大突破，成功实现了高质量晶圆级SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的规模化生产。

SiCOI作为一种具有优异性能的半导体复合材料，结合了碳化硅（SiC）的高导热性、高击穿电压的优势和绝缘体的良好电学隔离性能，被广泛应用于集成光子学、量子光学、功率器件等多个高科技领域。然而，高质量SiCOI材料的制备一直是一项极具挑战性的任务，需要解决晶圆键合、微纳加工等多个技术难题，业内前期探索主要是小尺寸样品的制备尝试。

青禾晶元此次突破高质量晶圆级SiCOI制备技术，不仅满足了市场对高性能半导体材料的迫切需求，更为我国半导体材料产业的自主可控发展提供了有力支撑。

来源：南京发布、青禾晶元

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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：这2项国产SiC技术实现突破