Navitas Semiconductor 已认证其采用 D2PAK-7L（TO-263-7）和 TOLL（TO-Leadless）表面贴装 (SMT) 封装的第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 适用于汽车设计。
GeneSiC开发的专有沟槽辅助平面技术可使外壳温度比传统设备低 25°C，使用寿命比其他 SiC 产品长 3 倍，适用于高压力 EV 环境。
符合 AECQ101 标准的 SiC MOSFET 可在交流压缩机、座舱加热器、DC-DC 转换器和车载充电器 (OBC) 等电动汽车应用中提供更高的功率密度。Navitas 的专用电动汽车设计中心已展示出最前沿的 OBC 系统解决方案，功率高达 22 kW，功率密度为 3.5 kW/升，效率超过 95.5%。
400 V 额定 EV 电池架构采用新型 650 V Gen-3 快速 MOSFET，其 RDS(ON) 额定值为 20 至 55 mΩ。1,200 V 范围为 18 至 135 mΩ，并针对 800 V 系统进行了优化。
650 V 和 1,200 V 范围均符合 AEC Q101 标准，采用传统的 SMT D2PAK-7L (TO-263-7) 封装。对于 400 V 电动汽车，650 V 额定表面贴装 TOLL 封装可使结到外壳热阻 (RTH,JC) 降低 9%，PCB 占用空间缩小 30%，高度降低 50%，尺寸缩小 60%，这比 D2PAK-7L 更佳。这可实现非常高功率密度的解决方案，而仅为 2 nH 的最小封装电感可确保出色的快速开关性能和最低的动态封装损耗。
采用 D2PAK-7L 和 TOLL 表面贴装封装的汽车级 650 V 和 1200 V G3F SiC MOSFET 系列现已发布并可立即供货。
应用终端 SIC IGBT模块 SIC模块 碳化硅衬底 IGBT芯片 分立器件 材料 焊接材料 真空回流焊炉 烧结银 烧银炉 烧结炉 陶瓷基板 铜底板 焊接设备 划片机 晶圆贴片机 灌胶机 贴片 表面处理 硅凝胶 环氧树脂 散热器 铝碳化硅 五金 键合机 键合丝 超声焊接机 陶瓷劈刀 激光设备 设备配件 PVD设备 ALD 电子浆料 CVD 导热材料 元器件 密封胶 X-Ray 配件 超声波扫描显微镜 塑胶外壳 玻璃 塑料 线路板 设备 散热材料 热敏电阻 点胶机 胶水 自动化设备 运动控制 封装设备 检测设备 认证检测 夹治具 清洗设备 测试设备 磨抛耗材 磨抛设备 代理 贸易 其他