三安半导体与虹安微电子签署战略合作协议，加强SiC产能与技术合作

9月5日，三安半导体与虹安微电子在湖南长沙签署战略合作协议，旨在加强双方在SiC领域的合作，推动产能保障和技术支持，共同应对新能源汽车、光储充等市场需求。 

近年来，随着新能源汽车、光储充等市场的快速发展，SiC功率器件的需求持续走高。据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年全球SiC Power Device市场规模约为30.4亿美元，预计到2028年将上升至91.7亿美元，年复合增长率（CAGR）达到25%。在这一市场背景下，三安半导体与虹安微电子的战略合作显得尤为重要。 

通过战略合作，三安半导体将为虹安微电子提供稳定的SiC产能保障，确保后者在快速发展市场中能够满足客户需求；同时，双方将在SiC技术方面进行深入合作，共享研发资源，加速技术创新和产品升级。 

三安半导体总经理江协龙出席并致辞，表达了对此次合作的高度重视和期待。江总表示：“我们非常高兴与虹安微电子建立战略合作伙伴关系，这次合作将有助于提升双方在SiC领域的竞争力。我们将全力以赴，确保产能保障和技术支持的到位。” 

虹安微电子总经理倪崇尧也在签约仪式上发表了讲话，对三安半导体的支持表示感谢，并对未来的合作充满信心。倪总表示：“与三安半导体的携手，为我们带来了新的发展机遇。我们将以此合作为契机，不断提升自身的技术实力和创新能力，为客户提供更加优质的产品和服务。”