2024年8月，杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓衬底加工技术上取得突破性进展，成功研制超薄6英寸衬底，衬底厚度小于200微米。
氧化镓（β-Ga2O3）具有禁带宽度大、击穿场强高、Baliga品质因数大等优势，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面具有巨大的应用潜力，能够极大地降低器件工作时的电能损耗，有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。
但是，氧化镓热导率较低，会加重器件的自热效应，大量热量积累在器件内部，会导致器件性能退化，使其在高功率领域的应用受到极大的限制。减薄衬底厚度，能够使器件产生的热量通过衬底散出，增强器件的散热能力，提高器件性能。超薄6英寸衬底为高性能器件的制备提供了一种新选择，满足功率器件领域的科研与生产需求，促进业内产学研协同合作。
杭州镓仁半导体有限公司主要从事氧化镓等半导体单晶材料的研发与生产，已获批国家级科技型中小企业、浙江省创新型中小企业、浙江省科技型中小企业和杭州市企业高新技术研究开发中心，并获批萧山区“5213”项目(卓越类)、杭州市萧山区领军型创新创业项目等多个项目，具有雄厚的生产研发实力。此外，公司近日还顺利完成近亿元Pre-A轮融资，不仅为公司的技术研发和市场拓展提供了强有力的资金支持，也充分展示了资本市场对公司技术和市场前景的认可。未来，公司研发团队将继续开展自主创新工作，逐步突破更低成本、更高质量的氧化镓衬底，推动氧化镓产业高质量发展，助力“碳中和”、“碳达峰”的发展目标。
原文始发于微信公众号（镓仁半导体）：新突破︱镓仁半导体成功研制氧化镓超薄6英寸衬底
