喜报：连科半导体液相法碳化硅长晶炉顺利验收!

近日，连科半导体液相法碳化硅长晶炉取得关键性进展，液相法碳化硅(感应)加热长晶炉及液相法碳化硅电阻加热长晶炉顺利在客户现场完成验收。连科半导体为客户提供的碳化硅液相法长晶炉设备与客户的核心工艺高度适配，为客户能够以可视化生长出低成本高质量的晶体提供助力，同时为连科半导体在碳化硅液相法领域打下了坚实基础。

碳化硅液相长晶炉

1.在加热方式层面，液相法碳化硅长晶炉兼容感应式及电阻式加热方式，支持多加热器的热场设计，满足多测温点及CCD可视化长晶的工艺需求。可根据需求定制，匹配客户核心工艺，满足晶体生长的各项技术要求；

2.在尺寸设计层面，液相法碳化硅长晶炉在设计方面兼容六英寸到八英寸碳化硅单晶生长的空间，可帮助客户在不更换设备的前提下实现长晶技术的迭代升级，最大程度的降低研发的时间及成本;

3.在技术团队层面，连科半导体在晶体生长设备领域深耕多年，具有丰富的技术储备和专业的技术团队，理解客户核心需求，响应迅速，为客户提供专业的长晶设备和技术服务，助力客户实现降本增效，生长更优品质的液相法碳化硅单晶。

左半图：C在助熔液中溶解分布以及熔体对流图；右半图：温场分布图

液相法制备碳化硅的历史可追溯到20世纪60年代，最早是1961年由Halden等人在溶解了C的高温Si熔体中获取到SiC单晶的方式首次实现。

液相法技术与当前主流的气相法在晶体生长原理及所需设备结构上存在显著不同，故而技术难度较高。液相法是利用 Si 和 C 元素在高温溶液中的溶解后析出，来实现 SiC 单晶的生长。其核心在于采用高纯石墨坩埚充当反应器，并向熔融的纯硅中加入助熔剂，提高C的溶解度。

            液相法生长SIC晶体示意图

液相法技术在细分领域的优势逐步凸显，尤其适用于生长P型碳化硅衬底，不仅可以实现生长低位错密度、高品质的碳化硅晶片，还能显著提升碳化硅晶片的生产成品率并降低成本。

目前来看，液相法长晶技术已然成为技术和产业关注的焦点。然而，在产业化落地的道路上还需设备制造商与衬底生产商高度协作与配合，共同推进国内液相法技术进步和产业化进程。