工研院今(19)日于台南六甲院区举办先进雷射制造与数位转型应用研讨会暨成果发表,其中经济部产业技术司补助工研院研发的「高深宽比玻璃载板雷钻暨金属化技术」拥有目前业界兼具最高的深宽比与真圆度能力,并大幅提升激光钻孔玻璃基板加工速度。
工研院「高深宽比玻璃载板雷钻暨金属化技术」拥有目前业界兼具最高的深宽比与真圆度能力,已与设备大厂东捷、面板大厂群创三方技术合作,投入半导体大厂封装测试。 工研院/提供
工研院今年与设备大厂东捷、面板大厂群创三方技术合作,于工研院建立玻璃通孔(Through Glass Via, TGV)制程验证系统,利用东捷、群创合作开发之光弹检测系统,辅以超快雷射后定量分析的强健性与可靠性验证,投入半导体大厂封装测试,助力面板级扇出型封装(Fan-Out Panel Level Packaging, FOPLP)后续产能提升,加速我国先进封装产业切入国际供应链。
玻璃基板具有高平坦度、高耐温、低热膨胀系数等优异特性,能够有效提升高阶芯片产品的整体效能和可靠度,带动TGV封装技术市场需求。 根据TGV基板市场报告指出,2023年全球TGV基板市场规模达到1.01亿美元,预计到2030年将增长至4.24亿美元,2024年至2030年的年复合增长率为22%。 随着对小型化、高性能电子设备需求的增加,市场未来将持续扩大。
工研院南分院执行长曹芳海指出,搭载精密细微电路的玻璃载板,是下世代的关键元件之一,工研院研发以超快激光取代传统激光制程技术,透过一次性的激光脉冲,使TGV的钻孔残留应力与微裂纹大幅降低,并使孔径缩小至7.9微米,平均真圆度高于90%,TGV深宽比最高达25,领先业界,可实现更高的电晶体密度及效能。
曹芳海表示,相较传统激光制程技术每钻100万孔TGV耗时可达近30小时,工研院以超快雷射发展的高深宽比TGV技术,保守估计约需1小时,大幅节省95%以上工时,提供业者快速、低破损与FOPLP高阶封装制程等方案,不仅产速提升,耗材磨损减少,估计可减少碳排放量40%以上。
消息来源:经济日报