1月22日，Wolfspeed官网宣布推出了用于电力应用的第四代碳化硅 (SiC) 技术平台。
1200V CPM4 系列中用于工业应用的首批两款裸片的导通电阻为 26mΩ（90A）和 42mΩ（55mA）。在相同的结温 175°C 下，导通电阻降低了 20%。用于汽车的裸片版本 EPM4 正在接受认证。
封装是导通电阻的关键要素，首款 E4M 封装部件采用四引线 TO-247 开尔文封装，电流更高，为 153A，导通电阻从 16mΩ 降至 13mΩ。
Wolfspeed 似乎并不考虑降低设备的生产成本，而是以更大的幅度简化设计流程，以加快开发时间并降低其他组件的成本。
例如，高达 2.3 µS 的短路耐受时间提供了额外的安全裕度，从而降低了设计成本。
在硬开关应用中，例如工业电机驱动器、人工智能数据中心的电源以及并网系统的有源前端 (AFE) 转换器，降低开关损耗至关重要。这些应用在不同负载下运行，有时会在短时间内以非常高的功率运行，但它们的大部分使用寿命都处于较低功率水平。
从效率角度来看，最大限度地减少传导损耗有助于提高整个负载范围内的效率。
这些传导损耗主要由功率 MOSFET 的导通电阻驱动，该电阻是在应用所需的电流水平和产生的结温下评估的。在满额定负载电流下，MOSFET 通常工作在其最大额定工作温度附近（或低于某些设计裕度），MOSFET 零件编号的选择以及最终系统半导体 BOM 成本由该高温 Rds(on) 决定。
Wolfspeed 电源技术开发副总裁 Adam Barkley 博士表示，减少开关损耗有两个主要优点。
首先，设计人员可以提高开关频率，实现更小、更轻、更具成本效益的磁性元件和电容器；或者，他们可以通过减少散热来优先提高效率，通过减小散热器尺寸或降低冷却要求来降低系统级成本
Barkley 表示，Wolfspeed 的 Gen4 MOSFET 将这种高温特定导通电阻降低了多达 21%，并且在较低温度下阻值降低幅度更大。
Wolfspeed 电源产品高级副总裁 Jay Cameron 表示：“我们了解，每种应用的设计都有一套独特的要求。从一开始，我们对 Gen 4 的目标就是提高实际操作环境中的整体系统效率，重点是在系统层面提供最高性能。Gen 4 使设计工程师能够以更低的整体系统成本创建更高效、更持久的系统，这些系统在严苛的操作环境中也能表现良好。”
Wolfspeed 的 Gen 4 产品有 750V、1200V 和 2300V 节点。新产品（包括更多封装和 RDS ON 范围）将于 2025 年和 2026 年初推出。
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★费用包括会议门票、全套会议资料、午餐、茶歇，晚宴等，但不包括住宿；
联系方式
原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：Wolfspeed推出第四代SiC技术
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