哈工大重大突破！成功攻克EUV光刻机技术

近日，半导体领域来了一则激动人心的消息：哈尔滨工业大学（简称哈工大）宣布成功研发出中心波长达到13.5纳米的极紫外（EUV）光技术，这一历史性的成就为中国光刻机技术的发展注入了强劲动力，为深陷困境的中国芯片制造业带来了突破性的曙光。

光刻机，作为芯片制造的基石设备，其技术水准直接关乎芯片的制造精度与性能表现。长久以来，极紫外光刻机技术一直被国际少数巨头所垄断，成为了制约中国芯片产业崛起的关键瓶颈。而极紫外光技术，正是EUV光刻机的核心所在，掌握这一技术无疑意味着在芯片制造的最尖端领域抢占了战略高地。

哈工大科研团队凭借深厚的科研积淀与不懈的探索精神，终于攻克了极紫外光技术的难关。他们研发出的中心波长为13.5纳米的极紫外光，正是实现7纳米及以下先进制程芯片制造不可或缺的关键光源。这一技术的突破，不仅填补了国内在该领域的空白，更标志着中国在极紫外光技术研究领域实现了质的飞跃。

对于中国芯片产业而言，这一突破的意义重大而深远。它为中国自主研发EUV光刻机奠定了坚实的基础，有望大幅提升中国芯片制造的自主可控能力，减少对国外设备的依赖，从而确保国家信息产业供应链的安全稳定。同时，这一成就也将激发更多国内科研力量投身于芯片核心技术的研发之中，推动整个芯片产业链的协同发展，加速中国芯片产业向国际先进水平迈进的步伐。

目前，哈工大科研团队正积极携手国内相关企业和科研机构，加速推进极紫外光技术的工程化与产业化进程，力求将这一重大科研成果尽快转化为推动中国芯片产业发展的强大引擎，为实现中国芯片的自主可控与产业升级贡献力量。

来源：半导体封测

原文始发于微信公众号（半导体材料与工艺）：哈工大重大突破！成功攻克EUV光刻机技术