北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心杨学林、沈波团队在氮化镓外延薄膜中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展。相关成果2025年2月5日以“从原子尺度上理解氮化物半导体中的位错攀移:不对称割阶的影响”(Atomistic Understanding of Dislocation Climb in Nitride Semiconductors: Role of Asymmetric Jogs)为题在线发表于《物理评论快报》(Physical Review Letters)上。

 

北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上获重要进展

北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上获重要进展

论文原文链接

https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.134.056102

来源: 北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所

原文始发于微信公众号(第三代半导体产业):北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上获重要进展

作者 808, ab

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