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Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持
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整体效率的提升有助于降低系统成本、缩短开发时间，同时最大限度延长应用寿命，这代表着碳化硅技术的一个关键进展
碳化硅（SiC）技术领域的全球引领者 Wolfspeed（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）于近日发布了全新的第 4 代（Gen 4）技术平台，该平台从设计端就考虑耐久性和高效性，同时还能降低系统成本、缩短开发时间。第 4 代技术专为简化大功率设计中常见的开关行为和设计挑战而设计，并为 Wolfspeed 的各类产品（包括功率模块、分立元件和裸芯片产品）制定了长远的发展规划路线图。这些产品目前有 750 V、1200 V 和 2300 V 等级可供选择。
碳化硅技术是功率器件市场和更广泛的半导体行业中发展最为迅速的板块之一。作为硅的卓越替代品，碳化硅是大功率应用（例如，电动汽车动力总成、电动交通、可再生能源系统、电池储能系统和 AI 数据中心）的理想选择，不仅可提升性能，还可降低系统成本。
随着全球都在寻求更高效、更环保的解决方案，以满足世界对高压能源日益增长的需求，必须继续进行战略投资，以巩固其技术优势，同时继续推动在关键技术领域的创新。
Wolfspeed 执行董事长 Tom Werner 表示：“Wolfspeed 一直坚持不懈地推动持续创新，并将我们的碳化硅解决方案带给越来越多的行业，以应对那些日益具有挑战性的应用场景。我们的第 4 代技术将依托我们的高效 200 mm 晶圆交付，这将使我们能够实现该行业前所未有的生产规模和良率水平。”
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整体系统效率：在工作温度下，导通电阻降低高达 21%，开关损耗降低高达 15% -
耐久性：确保可靠的性能，包括高达 2.3 μS 的短路耐受时间，以提供额外的安全余量 -
更低的系统成本：简化设计流程，降低系统成本、缩短开发时间
产品供应
随着汽车、工业和可再生能源制造商不断推动产品电气化，产品的可靠性和耐用性变得至关重要。Wolfspeed 第 4 代技术的设计理念以此为目标，将耐用性作为关键预期加以打造。
第 4 代技术具有高达 2.3 μS 的短路耐受时间，可为关键应用提供额外的安全余量。此外，与以前的技术相比，该平台的失效率 (FIT) 能够实现高达 100 倍的改善，确保了在不同海拔高度下都能拥有可靠的性能表现。体二极管设计提升了系统的耐用性，可以实现更快的开关速度，减少损耗并降低振铃现象，使 VDS 过冲降低 80%。第 4 代裸芯片能够胜任 185 °C 的连续运行工况以及 200 °C 的有限寿命运行工况，为面向高温应用场景的产品开发和推向市场带来积极作用。这使得设计人员能够灵活地将其设计推向极致性能。
这些效率提升优势与第 4 代技术的高温导通电阻这一特性相互配合，进一步体现出 Wolfspeed 致力于确保产品在实际应用场景中展现可靠性能的决心与承诺。
系统成本降低：旨在降低系统成本、缩短开发时间
https://www.wolfspeed.com/company/news-events/news/wolfspeed-launches-new-gen-4-mosfet-technology-platform-to-deliver-breakthrough-performance-in-real-world-conditions-for-high-power-applications/
▲企业宣传视频：Wolfspeed 助您实现梦想，成就非凡！
原文始发于微信公众号（WOLFSPEED）：Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技术平台
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