英飞凌科技公司已出货首批基于更大的 200 毫米晶圆的碳化硅 (SiC) 功率器件。

几乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圆上制造的,使用更大的晶圆存在重大挑战。从 200 毫米晶圆出货器件是降低 SiC 器件成本的关键一步,其他公司也在开发 200 毫米技术,尤其是美国的 Wolfspeed西西里的 STMicroelectronics捷克共和国的 onsemi以及日本的 Rohm 和 Mitsubishi

这些高压器件是在英飞凌位于奥地利菲拉赫的工厂生产的,但本季度这些器件的出货也是英飞凌马来西亚居林制造基地从新建的 3 号模块中的 150 毫米晶圆向 200 毫米晶圆转型的关键一步。

菲拉赫和居林生产基地共享技术和工艺,从而实现碳化硅和氮化镓(GaN)制造的快速提升以及平稳、高效的运行。

英飞凌首席运营官 Rutger Wijburg 博士表示:“我们的 SiC 生产计划正在按计划推进,我们为向客户推出的第一批产品感到自豪。通过分阶段提高菲拉赫和居林的 SiC 产量,我们正在提高成本效率并继续确保产品质量。同时,我们正在确保我们的制造能力能够满足对基于 SiC 的功率半导体的需求。”

作者 808, ab

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