经过8个月紧张有序地建设后 士兰集宏项目总投资120亿元 分两期建设 总建筑面积达23.45万㎡ 一期投资70亿元 预计2025年四季度初步通线 2026年一季度试生产 达产后年产能42万片8英寸SiC芯片 资料图
二期投产后总产能将提升至72万片/年 成为全球规模领先的 8英寸SiC功率器件产线 项目以SiC MOSFET为核心产品 主要服务于新能源汽车 主驱逆变器、光伏逆变器、智能电网等 高需求领域 自2024年6月开工以来 得益于海沧“八办机制”和“进不了窗口服务” 项目以“厦门速度”推进 从谈判签约到开工仅用55天 钢结构首吊于1月21日完成 主厂房核心区22榀钢桁架梁半月内全部就位 春节期间 超千名工人坚守岗位，保障施工进度 最终提前完成封顶目标
项目总指挥朱利荣 再次点赞了海沧优质的营商环境 他表示 封顶后将继续推进配套设施建设 包括动力站、测试楼等 确保后续设备安装与调试顺利开展 当前 新能源汽车对SiC芯片需求激增 而国内产能仍依赖进口 士兰集宏项目达产后 可满足国内40%以上的 车规级SiC芯片需求 并带动上下游产业链集聚厦门 加速第三代半导体材料、设备国产化进程 此外 士兰微已实现第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量产 其主驱模块已获 国内知名车企批量采购 技术实力进一步巩固
士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越表示，希望在“十五五”期间，在各方的大力支持下，士兰集宏建成72万片8英寸SiC功率芯片的年产能，其中总投资70亿元的一期项目，尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
届时，项目可以较好地满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、Ai服务器电源、大型白电智能功率模块等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。 据悉，项目全面达产后，预计年产值超120亿元，助力厦门打造第三代半导体产业集群，并为中国在全球功率半导体竞争中抢占高地。 士兰微2024年业绩扭亏为盈 净利润达1.5亿元-1.9亿元 得益于新能源汽车芯片业务增长 公司同步推进12英寸IGBT、SiC产线扩产 并计划2025年实现 第Ⅳ代SiC模块批量供货 进一步巩固行业地位 效果图
业界表示 士兰集宏项目的封顶 不仅是士兰微“IDM模式”的又一里程碑 更是中国半导体产业自主化的重要突破 随着全球产业格局加速转型 SiC芯片的战略价值日益凸显 士兰微的布局或将为国产替代开启新篇章
一审/摄影:彭建文 张建平 蔡梓玉（实习生） 二审:王庆平 三审:庄梅芳
原文始发于微信公众号（今日海沧）：刚刚，全面封顶！明年试生产，剑指全球市场！